ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB3307PBF
/IRFB3307PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFB3307PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3307PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3307PBF价格参考。International RectifierIRFB3307PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 130A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB3307PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB3307PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFB3307PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） IRFB3307PBF因其低导通电阻（Rds(on) = 6.5 mΩ @ Vgs = 10V）和高电流能力（Id = 80 A），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地处理高频开关操作，降低功率损耗，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机或其他类型电机的驱动电路中。其高电流承载能力和快速开关速度使得它可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，IRFB3307PBF可以用作功率级器件，将直流电转换为交流电。其低导通损耗和良好的热性能有助于提高系统的效率和稳定性。 4. 负载切换 该MOSFET可以用于负载切换应用，例如在汽车电子或工业控制系统中，实现对大电流负载的快速、可靠控制。其低导通电阻可减少发热，延长设备寿命。 5. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，IRFB3307PBF可用于保护电路，防止过流、短路等情况发生。它还适合用作电池充放电路径的开关，确保能量传输的高效性。 6. LED驱动 对于高功率LED照明应用，IRFB3307PBF可以用作恒流驱动电路中的开关元件，提供稳定的电流输出，同时减少能量损失。 特性总结 - 额定电压：55 V - 额定电流：80 A - 低导通电阻：6.5 mΩ（@ Vgs = 10V） - 快速开关速度：适用于高频应用 - 封装形式：TO-220-3 这些特性使IRFB3307PBF成为需要高效功率转换和低损耗的多种工业、消费类和汽车应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3307PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB3307PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5150pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB3307PBF |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
