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IRFB3207ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3207ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3207ZPBF价格参考¥8.43-¥9.42。International RectifierIRFB3207ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB3207ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3207ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB3207ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,使其在高效能、高性能的应用场景中表现出色。 应用场景 1. 电源管理: - DC-DC转换器:IRFB3207ZPBF常用于降压、升压或反相DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 开关电源(SMPS):在开关电源中,该MOSFET可以作为功率级开关,适用于各种拓扑结构如反激式、正激式等,确保高效稳定的电源输出。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电动工具、家用电器及工业自动化设备中,IRFB3207ZPBF可用于驱动BLDC电机,提供高效的电流控制和快速响应。 - 步进电机驱动:在精密定位系统中,如3D打印机、数控机床等,该MOSFET能够实现精确的电流调节,保证电机平稳运行。 3. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)及储能系统中,IRFB3207ZPBF可用于电池充放电控制电路,保护电池免受过充、过放及短路损害,同时优化充电效率。 4. 工业自动化与控制: - 固态继电器(SSR):在工业控制系统中,该MOSFET可替代传统机械继电器,实现无触点开关功能,延长使用寿命并提高可靠性。 - 伺服控制系统:用于工业机器人、CNC机床等精密设备的伺服驱动,确保高精度位置控制和快速动态响应。 5. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在便携式电子设备的电源适配器中,IRFB3207ZPBF有助于提升电源转换效率,减小发热,延长设备续航时间。 - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等,该MOSFET可用于开关控制和电源管理,实现节能和智能化操作。 总之,IRFB3207ZPBF凭借其优异的电气特性,在各类需要高效功率转换和控制的应用中展现出卓越性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
Id-连续漏极电流 | 170 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3207ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB3207ZPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 120 nC |
Qg-栅极电荷 | 120 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6920pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.1 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 300W |
功率耗散 | 300 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 3.3 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 120 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 170 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbssl3207zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbssl3207zpbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |