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  • 型号: IRFB3207ZGPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB3207ZGPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3207ZGPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3207ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB3207ZGPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB3207ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3207ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRFB3207ZGPBF 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该型号广泛应用于多种电力电子设备和系统中,特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用场景。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - 开关电源 (SMPS):IRFB3207ZGPBF 常用于开关电源中的功率级电路,作为主开关元件。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率,减少功率损耗。
   - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换器中,MOSFET 用于控制电压转换过程中的电流流动。该型号的高开关速度和低损耗特性使其非常适合高频应用。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动应用中,IRFB3207ZGPBF 可用于逆变器电路,将直流电转换为三相交流电以驱动电机。其低导通电阻有助于降低发热,提高电机效率。
   - 伺服电机控制:该 MOSFET 也可用于伺服电机的精密控制,确保电流平稳输出,提升系统的响应速度和精度。

3. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):在工业控制系统中,MOSFET 用于驱动各种执行器和传感器。IRFB3207ZGPBF 的高可靠性和耐用性使其成为理想选择。
   - 固态继电器 (SSR):MOSFET 在固态继电器中用作开关元件,替代传统的机械继电器。其无触点设计减少了磨损,延长了使用寿命。

4. 消费电子产品:
   - 笔记本电脑适配器:在笔记本电脑的电源适配器中,MOSFET 用于功率转换和保护电路,确保稳定的电压输出。
   - 智能手机快充模块:在快速充电技术中,MOSFET 用于调节充电电流,确保安全高效的充电过程。

5. 汽车电子:
   - 车载充电器:在电动汽车和混合动力汽车中,MOSFET 用于车载充电器和电池管理系统,确保高效的能量转换和管理。
   - LED 驱动器:在汽车照明系统中,MOSFET 用于驱动 LED 灯具,提供稳定的电流和亮度控制。

总之,IRFB3207ZGPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备和系统中,尤其适用于对效率、可靠性和成本有较高要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

170 A

Id-连续漏极电流

170 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3207ZGPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFB3207ZGPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

120 nC

Qg-栅极电荷

120 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6920pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.1 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

300W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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