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IRFB3207ZGPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3207ZGPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3207ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB3207ZGPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB3207ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3207ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFB3207ZGPBF 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该型号广泛应用于多种电力电子设备和系统中,特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):IRFB3207ZGPBF 常用于开关电源中的功率级电路,作为主开关元件。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率,减少功率损耗。 - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换器中,MOSFET 用于控制电压转换过程中的电流流动。该型号的高开关速度和低损耗特性使其非常适合高频应用。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动应用中,IRFB3207ZGPBF 可用于逆变器电路,将直流电转换为三相交流电以驱动电机。其低导通电阻有助于降低发热,提高电机效率。 - 伺服电机控制:该 MOSFET 也可用于伺服电机的精密控制,确保电流平稳输出,提升系统的响应速度和精度。 3. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器 (PLC):在工业控制系统中,MOSFET 用于驱动各种执行器和传感器。IRFB3207ZGPBF 的高可靠性和耐用性使其成为理想选择。 - 固态继电器 (SSR):MOSFET 在固态继电器中用作开关元件,替代传统的机械继电器。其无触点设计减少了磨损,延长了使用寿命。 4. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在笔记本电脑的电源适配器中,MOSFET 用于功率转换和保护电路,确保稳定的电压输出。 - 智能手机快充模块:在快速充电技术中,MOSFET 用于调节充电电流,确保安全高效的充电过程。 5. 汽车电子: - 车载充电器:在电动汽车和混合动力汽车中,MOSFET 用于车载充电器和电池管理系统,确保高效的能量转换和管理。 - LED 驱动器:在汽车照明系统中,MOSFET 用于驱动 LED 灯具,提供稳定的电流和亮度控制。 总之,IRFB3207ZGPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备和系统中,尤其适用于对效率、可靠性和成本有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
Id-连续漏极电流 | 170 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3207ZGPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB3207ZGPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 120 nC |
Qg-栅极电荷 | 120 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6920pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.1 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |