(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRFB3206GPbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications D V 60V DSS (cid:1)(cid:2)High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS R typ. 2.4m(cid:0) (cid:1)(cid:2)Uninterruptible Power Supply DS(on) (cid:1)(cid:2)High Speed Power Switching max. 3.0m(cid:0) (cid:1)(cid:2)Hard Switched and High Frequency Circuits G I 210A (cid:0) D (Silicon Limited) I 120A Benefits S D (Package Limited) (cid:1) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness D (cid:1) Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA (cid:1) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability S (cid:1)(cid:2)Lead-Free D G (cid:1)(cid:2)Halogen-Free TO-220AB IRFB3206GPbF G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 210(cid:5) D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 150(cid:5) D C GS A I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Wire Bond Limited) 120 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 840 DM P @T = 25°C Maximum Power Dissipation 300 W D C Linear Derating Factor 2.0 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS dv/dt Peak Diode Recovery (cid:1) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J T Storage Temperature Range STG °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lbf(cid:6)in (1.1N(cid:6)m) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:2) 170 mJ AS (Thermally limited) I Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig. 14, 15, 22a, 22b, A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Case (cid:4) ––– 0.50 θJC R Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220 0.50 ––– °C/W θCS R Junction-to-Ambient, TO-220 ––– 62 θJA www.irf.com 1 1/06/09

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 60 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.07 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 5mA(cid:3) (BR)DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 2.4 3.0 mΩ V = 10V, I = 75A (cid:4) DS(on) GS D V Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V V = V , I = 150µA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V =60V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 48V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS R Internal Gate Resistance ––– 0.7 ––– Ω G Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 210 ––– ––– S V = 50V, I = 75A DS D Q Total Gate Charge ––– 120 170 nC I = 75A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 29 ––– V =30V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 35 V = 10V (cid:4) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 85 ––– I = 75A, V =0V, V = 10V sync g gd D DS GS t Turn-On Delay Time ––– 19 ––– ns V = 30V d(on) DD t Rise Time ––– 82 ––– I = 75A r D t Turn-Off Delay Time ––– 55 ––– R =2.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 83 ––– V = 10V (cid:4) f GS C Input Capacitance ––– 6540 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 720 ––– V = 50V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 360 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig.5 rss C eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) ––– 1040 ––– V = 0V, V = 0V to 48V (cid:5), See Fig.11 oss GS DS C eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:0) ––– 1230 ––– V = 0V, V = 0V to 48V (cid:0)(cid:2) oss GS DS Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 210(cid:1) A MOSFET symbol S D (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 840 A integral reverse G SM (Body Diode)(cid:2)(cid:3) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 75A, V = 0V (cid:4) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 33 50 ns T = 25°C V = 51V, rr J R ––– 37 56 T = 125°C I = 75A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 41 62 nC T = 25°C di/dt = 100A/µs (cid:4) rr J ––– 53 80 T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 2.1 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:1)Calculated continuous current based on maximum allowable junction (cid:4)ISD ≤ 75A, di/dt ≤ 360A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. temperature. Bond wire current limit is 120A. Note that current (cid:5) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. limitations arising from heating of the device leads may occur with (cid:6) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time some lead mounting arrangements. as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. (cid:2)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction (cid:7) Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as temperature. Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. (cid:3) Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.023mH (cid:8) (cid:2)θ(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:1)(cid:7)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:2)(cid:1)(cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21) RG = 25Ω, IAS = 120A, VGS =10V. Part not recommended for use above this value. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V Aen()t 1865...0005VVVV Aen()t 1865...0005VVVV Curr 54..08VV Curr 54..08VV e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V c c ur 100 ur 100 So So 4.5V o- o- n-t n-t ai ai Dr Dr ,D ,D I 4.5V ≤ 60µs PULSE WIDTH I ≤ 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 10 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 e I = 75A c D n )Α ast VGS = 10V uenrrt ( 100 TJ = 175°C Rnes i 2.0 C O Souecr 10 Souecr aedz)li 1.5 no--t TJ = 25°C no--t mNor Dar I,iD 0.11 V≤ D60Sµ =s 2P5UVLSE WIDTH Dar, iRDSon() ( 1.0 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 3. Typical Transfer Characteristics 12000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 75A C = C + C , C SHORTED iss gs gd ds V) VDS= 48V 10000 Crss = Cgd e( 16 VDS= 30V Coss = Cds + Cgd ag VDS= 12V F) otl p 8000 V nec( Ciss uecr 12 a o apacti 6000 Seo--t 8 CC, 4000 Gat ,GS 4 2000 Coss V Crss 0 0 0 40 80 120 160 200 1 10 100 QG Total Gate Charge (nC) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) DCAanuenrrr t ()i 11000 TJ = 175°C TJ = 25°C CAoueuencrrr() t 1100000 1msec 100µsec se So- 10 10msec ever an-ti R Dr , DS 1 , D 1 Tc = 25°C I I Tj = 175°C DC VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.1 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 240 ge 80 a otl ID = 5mA V 200 Limited By Package n w o 75 d A) ak en(t 160 Beer 70 Curr 120 oucr n S DariI,D 80 Danor--ti 65 ,S 60 40 S D R) B 0 V( 55 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 2.0 800 mJ) I D y( TOP 21A g er 33A 1.5 n 600 BOTTOM 120A E e h gµyJ() 1.0 aancvl 400 ner Ae E s ul P e 0.5 gl 200 n Si S , A E 0.0 0 0 10 20 30 40 50 60 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 11. Typical C Stored Energy OSS Fig 12. Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1 D = 0.50 ) C 0.1 0.20 J h 0.10 Z t e( 0.05 Rponess 0.01 00..0021 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτ R00..i12 (00°C6148/W1768) 0τ.0ι0 .(00s10e2016c2) ma l SINGLE PULSE CiC= iτ=i /τRi/iRi 0.190923 0.011922 her 0.001 ( THERMAL RESPONSE ) T Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1000 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche A) pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and en(t 100 0.01 Tstart =25°C (Single Pulse) urr C e h 0.05 c n a 0.10 al 10 v A Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ∆Τj = 25°C and Tstart = 150°C. 1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 200 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1.Avalanche failures assumption: J) 160 ID = 120A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in m egyr( 23.. eSExqacufeea stosiop onef r baTetjimlooanwx .i nbT aAhsivsea dilsa o nvnca hlcideira cistue iatd la lfonowdr eewdva eavrsye flpooarnmrgt s tay ssphTeoj.mwanx iisn nFoigt uerxecse e1d6ead, .16b. n 120 E 4. P = Average power dissipation per single avalanche pulse. e D (ave) h 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase c n during avalanche). a avl 80 6. Iav = Allowable avalanche current. A, R 7. ∆25T° =C A ilnlo wFiagbulere r i1se4 ,i n1 j5u)n.ction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as EA 40 tav = Average time in avalanche. D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) thJC av 0 25 50 75 100 125 150 175 PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav) =(cid:7)(cid:1)T/ ZthJC I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] Starting TJ , Junction Temperature (°C) Eav = P ·tth AS (AR) D (ave) av Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 4.5 18 ID = 1.0A Ve() 4.0 ID = 1.0mA 16 ag ID = 250µA 14 otl 3.5 ID = 150µA V 12 d ol 3.0 A) ehehsr t 2.5 -( MRR 180 at I G 6 h) 2.0 IF = 30A (tS 4 VR = 51V G V 1.5 2 TJ = 125°C TJ = 25°C 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 TJ , Temperature ( °C ) dif / dt - (A / µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:24)(cid:25)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) Fig 16. Threshold Voltage Vs. Temperature (cid:1) 18 350 16 300 14 250 12 A-() M 10 Cn-() R 200 RR 8 QR 150 I 6 IF = 45A 100 IF = 30A 4 VR = 51V VR = 51V 2 TJ = 125°C 50 TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 25°C 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 dif / dt - (A / µs) dif / dt - (A / µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:24)(cid:25)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:25)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:31)(cid:15)(cid:21) (cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1) (cid:1) 350 300 250 Cn) 200 -( R R 150 Q 100 IF = 45A VR = 51V 50 T = 125°C J TJ = 25°C 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 di / dt - (A / µs) f (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:25)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:31)(cid:15)(cid:21) (cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period " (cid:3) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:10)(cid:8)(cid:4)(cid:12)(cid:13)(cid:14) VGS=10V • (cid:1)(cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:8)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:1) • (cid:20)(cid:5)(cid:12)(cid:7)(cid:13)(cid:15)(cid:1)(cid:21)(cid:22)(cid:10)(cid:13)(cid:16) - (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1) (cid:1)•(cid:1)(cid:1) (cid:1) (cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:7)(cid:17)(cid:5)(cid:5)(cid:1)(cid:16)(cid:9)(cid:13)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:5)(cid:10)(cid:10)(cid:24)(cid:13)(cid:16)(cid:14)(cid:1)(cid:26)(cid:19)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:15)(cid:27)(cid:7)(cid:6)(cid:16)(cid:8)(cid:5)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD (cid:22) (cid:2)(cid:20) • (cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1) (cid:1) (cid:28)(cid:28) Re-Applied • (cid:28)(cid:5)(cid:4)(cid:29)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:10)(cid:27)(cid:16)(cid:1)(cid:8)(cid:11)!(cid:16)(cid:1)(cid:10)(cid:14)(cid:1)(cid:28)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:19)(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:1)$(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:5)(cid:1)%(cid:28)% - (cid:19)I(cid:13)n(cid:15)d(cid:7)u(cid:6)c(cid:8)t(cid:12)o(cid:5)r(cid:1) C(cid:3)u(cid:7)r(cid:5)e(cid:5)(cid:16)n(cid:13)t(cid:8) • (cid:28)"#"(cid:25)"(cid:1)&(cid:1)(cid:28)(cid:16)(cid:29)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:1)#(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:25)(cid:16)(cid:14)(cid:8) Ripple ≤ 5% ISD "(cid:1)(cid:22) (cid:1)(cid:23)(cid:1)(cid:24)(cid:22)(cid:1)(cid:25)(cid:14)(cid:9)(cid:1)(cid:26)(cid:14)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:1)(cid:26)(cid:6)(cid:29)(cid:6)(cid:16)(cid:1)(cid:30)(cid:6)(cid:29)(cid:3)(cid:28)(cid:6)(cid:4) (cid:20)(cid:18) Fig 21. (cid:1)(cid:18)(cid:15)!(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:19)(cid:28)(cid:18)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:28)(cid:20)(cid:29)(cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:25)(cid:3)(cid:22)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:23)(cid:13)(cid:25)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms L D V V DS DS 90% + V - DD 10% D.U.T V VGS GS Pulse Width < 1µs Duty Factor < 0.1% td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeasD.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2µF .3µF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:0)(cid:6) (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:4)(cid:15)(cid:14) (cid:4)(cid:2)(cid:13)(cid:7)(cid:11)(cid:12)’(cid:3)(cid:15)(cid:0)(cid:13) (cid:9)(cid:12)(cid:7)(cid:0)(cid:13)(cid:12)(cid:2)(cid:7)(cid:9)&(cid:12)(cid:2)(cid:5) (cid:13)(cid:0)((cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:9)(cid:0)(cid:13) (cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:6)(cid:11)(cid:24)(cid:20)(cid:24)(cid:11)(cid:28).//(cid:25)0(cid:11)(cid:25)(cid:26)(cid:11)!(cid:27)%(cid:22)(cid:11)(cid:26).(cid:29)(cid:30)(cid:23)%(cid:11) (cid:5)&(cid:20)& (cid:25)(cid:26)"(cid:25)#(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:28)(cid:11)(cid:24)(cid:8)(cid:27)(cid:31)(cid:21)1(cid:23)(cid:26)(cid:11)$(cid:11)(cid:14)%(cid:23)(cid:23)(cid:24) )(cid:2)(cid:7)(cid:0)(cid:11)(&)(cid:0)(cid:6) *+(cid:5)(cid:2)(cid:10)(cid:7)(cid:11))(cid:9)(cid:20)(cid:9)(cid:7)(cid:11)&(cid:14) (cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:6)(cid:11)(cid:24)(cid:4)(cid:24)(cid:11)(cid:25)(cid:26)(cid:11)(cid:27)(cid:28)(cid:28)(cid:23)(cid:29)(cid:30)(cid:31) (cid:11)(cid:31)(cid:25)(cid:26)(cid:23)(cid:11)!(cid:21)(cid:28)(cid:25)(cid:22)(cid:25)(cid:21)(cid:26) (cid:2)(cid:10)(cid:10)(cid:0)(cid:3)(cid:15)(cid:5)* ((cid:2)(cid:5)(cid:0)(cid:12))(cid:2)(cid:13)(cid:11)*(cid:0)(cid:2)(cid:13) (cid:25)(cid:26)"(cid:25)#(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:28)(cid:11)(cid:24)(cid:5)(cid:23)(cid:27)"(cid:11)$(cid:11)(cid:14)%(cid:23)(cid:23)(cid:24) (cid:5)&(cid:7)(cid:11)(&)(cid:0) ,,+,&(cid:13)-(cid:11),(cid:0)(cid:0)- (cid:1)+(cid:14)(cid:2)((cid:7)&(cid:13)*(cid:11)(&)(cid:0) TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.01/2009 8 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFB3206GPBF