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IRFB3004PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3004PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3004PBF价格参考。International RectifierIRFB3004PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB3004PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3004PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFB3004PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) IRFB3004PBF具有低导通电阻(Rds(on)),适合用于高效能的开关电源设计,如DC-DC转换器、AC-DC适配器和充电器等。其快速开关特性和低损耗使其成为开关电源的理想选择。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路中,适用于家用电器、工业自动化设备和消费电子产品的电机控制。例如,它可以用于风扇、泵或伺服电机的启动和速度调节。 3. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,IRFB3004PBF可以作为功率开关元件,实现高效的电能转换。其耐压能力和电流处理能力使其能够在逆变器电路中稳定运行。 4. 电池管理系统(BMS) 该器件可应用于电池保护电路中,用于电池充放电控制。通过精确控制电流流动,确保电池的安全和延长使用寿命。 5. 负载切换 在需要频繁切换负载的电路中,IRFB3004PBF可以用作负载开关。它能够快速响应并减少功耗,适用于笔记本电脑、智能手机和其他便携式设备中的负载管理。 6. 汽车电子 该MOSFET还适用于汽车电子系统中的各种应用,如车窗升降器、座椅调节器、LED照明驱动等。其高可靠性和耐用性满足了汽车环境的严格要求。 7. 信号放大与缓冲 虽然主要用作开关器件,但在某些低频应用中,IRFB3004PBF也可用于信号放大或缓冲电路。 特性总结: - 额定电压:55V - 连续漏极电流:84A(在特定条件下) - 低导通电阻:2.5mΩ(典型值) - 快速开关速度 这些特性使得IRFB3004PBF非常适合需要高效能、低损耗和高电流处理能力的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 195A TO-220ABMOSFET MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 340 A |
Id-连续漏极电流 | 340 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3004PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB3004PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 380 W |
Pd-功率耗散 | 380 W |
Qg-GateCharge | 160 nC |
Qg-栅极电荷 | 160 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.75 毫欧 @ 195A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 380W |
功率耗散 | 380 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.4 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 160 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 340 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl3004pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl3004pbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |