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  • 型号: IRFB18N50KPBF
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB18N50KPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB18N50KPBF价格参考。VishayIRFB18N50KPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB18N50KPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB18N50KPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 17A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 17 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFB18N50KPBF-

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产品型号

IRFB18N50KPBFIRFB18N50KPBF

Pd-PowerDissipation

220 W

Pd-功率耗散

220 W

Qg-GateCharge

120 nC

Qg-栅极电荷

120 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

290 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

290 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V to 5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V to 5 V

上升时间

60 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2830pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

120nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

290 毫欧 @ 10A,10V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFB18N50KPBF

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

220W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

6.4 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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