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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34NSPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34NSPBF价格参考。International RectifierIRF9Z34NSPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9Z34NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9Z34NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9Z34NSPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF9Z34NSPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 68 W |
Pd-功率耗散 | 68 W |
Qg-GateCharge | 23.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 23.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 55 ns |
下降时间 | 41 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRF9Z34NSPBF |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 100 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
漏极连续电流 | 19 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |