【未分类_IRF9Z34NLPBF】封装/厂家_IRF9Z34NLPBF中文资料_价格

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型号： IRF9Z34NLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34NLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34NLPBF价格参考。International RectifierIRF9Z34NLPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF9Z34NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z34NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET P-CH 55V 19A TO-262MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 19 A
Id-连续漏极电流	- 19 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9Z34NLPBFHEXFET®
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产品型号	IRF9Z34NLPBF
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Pd-PowerDissipation	68 W
Pd-功率耗散	68 W
Qg-GateCharge	23.3 nC
Qg-栅极电荷	23.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	100 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	100 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 55 V
Vds-漏源极击穿电压	- 55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 10A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-262
其它名称	*IRF9Z34NLPBF
功率-最大值	3.8W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）