【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_IRF9910TRPBF】封装/厂家_IRF9910TRPBF中文资料_价格

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型号： IRF9910TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF9910TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9910TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9910TRPBF价格参考。International RectifierIRF9910TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 10A，12A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF9910TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9910TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9910TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF9910TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	18.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	18.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.55V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	900pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9.3 毫欧 @ 12A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF9910TRPBF IRF9910PBFCT
功率-最大值	2W
功率耗散	2 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	18.3 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	10 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A，12A
配置	Dual
闸/源击穿电压	20 V