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  • 型号: IRF9640STRRPBF
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9640STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9640STRRPBF价格参考。VishayIRF9640STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) 。您可以下载IRF9640STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9640STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAKMOSFET P-Chan 200V 11 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9640STRRPBF-

数据手册

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产品型号

IRF9640STRRPBFIRF9640STRRPBF

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 200 V

Vds-漏源极击穿电压

- 200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

43 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

44nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 6.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

500 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

汲极/源极击穿电压

- 200 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

IRF/SIHF9640

通道模式

Enhancement

配置

Single

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