(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:12)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:1)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:2)(cid:5) (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance D (cid:15) (cid:6)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:19)(cid:15) (cid:2)(cid:3)(cid:3) (cid:1) 150°C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching (cid:20) (cid:6)(cid:16)(cid:6)(cid:18)(cid:18)(cid:21)(cid:22) (cid:1) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) Ω (cid:1) Some Parameters are Different from G IRF9540NS/L (cid:23) (cid:6)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:24)(cid:25)(cid:26) (cid:2) (cid:1) P-Channel S (cid:1) Lead-Free (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10) D D Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These fea- S S D D tures combine to make this design an extremely G G efficient and reliable device for use in a wide D2Pak TO-262 variety of other applications. IRF9540NSPbF IRF9540NLPbF G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -23 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -14 IDM Pulsed Drain Current (cid:0) -92 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation 3.1 W PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 110 Linear Derating Factor 0.9 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V E Single Pulse Avalanche Energy (cid:1) 84 mJ AS I Avalanche Current (cid:0) -14 A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) 11 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:2) -13 V/ns TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Case ––– 1.1 °C/W θJC R Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state) (cid:3) ––– 40 θJA www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:5)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage -100 ––– ––– V V = 0V, I = -250µA (BR)DSS GS D ∆ΒV /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– -0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I = -1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 117 mΩ V = -10V, I = -14A (cid:2) DS(on) GS D V Gate Threshold Voltage -2.0 ––– -4.0 V V = V , I = -250µA GS(th) DS GS D gfs Forward Transconductance 5.6 ––– ––– S V = -50V, I = -14A DS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -50 µA V = -100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– -250 V = -80V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = -20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = 20V GS Q Total Gate Charge ––– 73 110 nC I = -14A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 13 20 V = -80V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 38 57 V = -10V (cid:2) gd GS t Turn-On Delay Time ––– 13 ––– ns V = -50V d(on) DD t Rise Time ––– 64 ––– I = -14A r D t Turn-Off Delay Time ––– 40 ––– R = 5.1Ω d(off) G t Fall Time ––– 45 ––– V = -10V (cid:2) f GS L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– nH Between lead, D 6mm (0.25in.) L Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package S and center of die contact C Input Capacitance ––– 1450 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 430 ––– V = -25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 230 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5 rss Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– -23 MOSFET symbol S (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– -92 integral reverse SM (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.6 V TJ = 25°C, IS = -14A, VGS = 0V (cid:2) trr Reverse Recovery Time ––– 140 210 ns TJ = 25°C, IF = -14A, VDD = -25V Q Reverse Recovery Charge ––– 890 1340 nC di/dt = -100A/µs (cid:2) rr t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:6)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:11)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:8)(cid:6)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:10)(cid:23)(cid:6)(cid:19)(cid:11)(cid:24)(cid:11)(cid:10)(cid:8)(cid:22)(cid:6)(cid:25)(cid:26) (cid:4) 6(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:8)(cid:6)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:10)(cid:23)(cid:6)≤ (cid:4)(cid:1)(cid:1)4(cid:20)(cid:17)(cid:6)(cid:22)(cid:18)(cid:10)(cid:26)(cid:6)(cid:30)(cid:26)(cid:30)(cid:19)(cid:8) ≤(cid:6)’7(cid:28) (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:24)(cid:14)(cid:27)(cid:28)(cid:6)(cid:29)(cid:18)(cid:15)(cid:30)(cid:10)(cid:11)(cid:31)(cid:15)(cid:6)(cid:10)(cid:8)(cid:24)(cid:9)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:28)(cid:6) (cid:6)!(cid:8)(cid:8)(cid:6)"(cid:11)(cid:16)(cid:28)(cid:6)##$ (cid:5) 8(cid:23)(cid:8)(cid:15)(cid:6)(cid:24)(cid:31)(cid:18)(cid:15)(cid:10)(cid:8)(cid:22)(cid:6)(cid:31)(cid:15)(cid:6)#9(cid:6)(cid:20):(cid:18)(cid:14)(cid:13)(cid:8)(cid:6)6);(cid:6) 2(cid:7)/0(cid:31)(cid:13)(cid:6)</#(cid:1) (cid:2) !(cid:10)(cid:14)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:15)(cid:16)(cid:6)%(cid:1)(cid:2)&(cid:6)’(cid:5)()*(cid:6)+(cid:6)&(cid:6)(cid:1)(cid:28),,(cid:24)- =(cid:14)(cid:10)(cid:8)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:19)$(cid:28)(cid:6)(cid:6)2(cid:31)(cid:13)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:30)(cid:31)(cid:24)(cid:24)(cid:8)(cid:15)(cid:22)(cid:8)(cid:22)(cid:6)"(cid:31)(cid:31)(cid:10)(cid:9)(cid:13)(cid:11)(cid:15)(cid:10)(cid:6)(cid:14)(cid:15)(cid:22)(cid:6)(cid:20)(cid:31)(cid:19)(cid:22)(cid:8)(cid:13)(cid:11)(cid:15)(cid:16) (cid:10)(cid:8)(cid:30)(cid:23)(cid:15)(cid:11):(cid:18)(cid:8)(cid:20)(cid:6)(cid:13)(cid:8)"(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:10)(cid:31)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:19)(cid:11)(cid:30)(cid:14)(cid:10)(cid:11)(cid:31)(cid:15)(cid:6)(cid:15)(cid:31)(cid:10)(cid:8)(cid:6)>1?/(cid:2)(cid:2)0(cid:28) (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:2)&(cid:6)’(cid:5)Ω*(cid:6).(cid:4)(cid:5)(cid:2)&(cid:6)/#01(cid:28)(cid:6) !(cid:8)(cid:8)(cid:6)2(cid:11)(cid:16)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:6)#’$ (cid:3)ISD ≤(cid:6)/#01*(cid:6)(cid:22)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:6)≤ /3’(cid:1)1(cid:3)4(cid:20)*(cid:6)5(cid:6)(cid:6)(cid:2)≤(cid:6)5(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:5)(cid:5)* (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)%(cid:1)(cid:2)≤(cid:6)#(cid:5)(cid:1)()(cid:28) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP -15V TOP -15V -10V -10V A) -8.0V A) -8.0V n(t 100 --76..00VV n(t 100 --76..00VV uerr --55..50VV uerr --55..50VV C BOTTOM -4.5V C BOTTOM -4.5V e e c c our 10 our 10 S S o- o- n-t n-t Dar, iD 1 -4.5V Dar, iD 1 -4.5V -I -I ≤60µs PULSE WIDTH ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:19)(cid:29)(cid:23)(cid:28)(cid:29)(cid:23)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)(cid:13)(cid:24)(cid:23)(cid:17)(cid:11)(cid:15)(cid:22)(cid:23)(cid:15)(cid:24)(cid:22) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:16)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:19)(cid:29)(cid:23)(cid:28)(cid:29)(cid:23)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)(cid:13)(cid:24)(cid:23)(cid:17)(cid:11)(cid:15)(cid:22)(cid:23)(cid:15)(cid:24)(cid:22) 100 2.0 TJ = 25°C ec ID = -14A na VGS = -10V A()ent TJ = 150°C Ressti urr 10 On 1.5 Ce ec ed) DSnoouac--r-rtI, iD 1 V≤6D0Sµ s= P -5U0LVSE WIDTH DSuanoorr--, tiRDSno)( mNaoz(r li1.0 0.1 0.5 2 4 6 8 10 12 14 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 -VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:18)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:27)(cid:11)(cid:13)(cid:20)(cid:22)!(cid:17)(cid:11)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)(cid:13)(cid:24)(cid:23)(cid:17)(cid:11)(cid:15)(cid:22)(cid:23)(cid:15)(cid:24)(cid:22) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:4)(cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:15)(cid:22)(cid:23)(cid:13)(cid:20)(cid:24)(cid:17) (cid:25)(cid:22)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:17)(cid:12)(cid:28)(cid:17)(cid:11)(cid:13)(cid:23)(cid:29)(cid:11)(cid:17) www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 10000 20 VCGissS == C0gVs, + C gf d=, 1 C MdsH SZHORTED ID= -14A Crss = Cgd V) VDS= -80V Coss = Cds + Cgd ge( 16 VDS= -50V F) oatl VDS= -20V p V e( Ciss e 12 nac ucr apcti 1000 Coss Soo- Ca e-t 8 C, Crss Gat , S G 4 V - 100 0 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:21)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:31)(cid:13)(cid:28)(cid:13)(cid:24)(cid:15)(cid:23)(cid:13)(cid:20)(cid:24)(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:22)(cid:26) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:20)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)’(cid:13)(cid:23)(cid:17)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)%(cid:17)(cid:3)(cid:25)(cid:22)(cid:26) (cid:2)(cid:11)(cid:13)(cid:15)(cid:20)(cid:4)(cid:23)(cid:10)(cid:4)$(cid:10)(cid:29)(cid:11)(cid:24)(cid:17)(cid:3)((cid:10)(cid:14)(cid:23)(cid:13)%(cid:17) ’(cid:13)(cid:23)(cid:17)(cid:4)(cid:23)(cid:10)(cid:4)$(cid:10)(cid:29)(cid:11)(cid:24)(cid:17)(cid:3)((cid:10)(cid:14)(cid:23)(cid:13)%(cid:17) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) An()t TJ = 150°C Aen()t 100 uerr 10 Curr Cn ec DReaeevsrr i 1 TJ = 25°C DSuanoorr--ti 10 1110m00mµsessececc , -IDS -I, D 1 Tc = 25°C Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 1 10 100 1000 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 -V , Drain-toSource Voltage (V) -VSD, Source-to-Drain Voltage (V) DS (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:22)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:27)(cid:30)(cid:28)(cid:15)(cid:24)(cid:13)(cid:14)(cid:3)$(cid:10)(cid:29)(cid:11)(cid:24)(cid:17)(cid:4)(cid:2)(cid:11)(cid:13)(cid:15)(cid:20)(cid:3)(cid:2)(cid:15)(cid:10)(cid:18)(cid:17) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:19)(cid:15)(cid:3)(cid:3)"(cid:13)#(cid:15)(cid:12)(cid:29)(cid:12)(cid:3)$(cid:13)!(cid:17)(cid:3)(cid:19)(cid:28)(cid:17)(cid:11)(cid:13)(cid:23)(cid:15)(cid:20)%(cid:3)&(cid:11)(cid:17)(cid:13) )(cid:10)(cid:11)*(cid:13)(cid:11)(cid:18)(cid:3)((cid:10)(cid:14)(cid:23)(cid:13)%(cid:17) 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:7) (cid:6) 5 (cid:6)(cid:5) 5 24 (cid:3)(cid:5) @(cid:28)A(cid:28)%(cid:28) (cid:7) (cid:3) - 5 20 + (cid:6)(cid:6) /#(cid:1)5 A) ne(t 16 (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:19)(cid:14)(cid:22)(cid:15)(cid:2)(cid:23)(cid:2)(cid:16)(cid:24)(cid:25)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:26)(cid:19)(cid:20)(cid:27)(cid:2)(cid:2)≤≤ 01. 1(cid:21) %(cid:14) urr Cn 12 (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:23)(cid:24)(cid:15)(cid:3)(cid:3)$*(cid:15)(cid:23)(cid:24) (cid:15)(cid:20)%(cid:3)(cid:27)(cid:15)(cid:12)(cid:17)(cid:3)(cid:27)(cid:17)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:31)(cid:15)(cid:11)(cid:24)(cid:29)(cid:15)(cid:23) ai Dr -I,D 8 td(on) tr td(off) tf VGS 4 10% 0 25 50 75 100 125 150 90% TC , Case Temperature (°C) VDS (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:26)(cid:15)(cid:13)(cid:13)"(cid:13)#(cid:15)(cid:12)(cid:29)(cid:12)(cid:3)(cid:2)(cid:11)(cid:13)(cid:15)(cid:20)(cid:3)(cid:31)(cid:29)(cid:11)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:23)(cid:3)(cid:25)(cid:22)(cid:26) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:23)(cid:25)(cid:15)(cid:3)(cid:3)$*(cid:15)(cid:23)(cid:24) (cid:15)(cid:20)%(cid:3)(cid:27)(cid:15)(cid:12)(cid:17)(cid:3)+(cid:13)(cid:25)(cid:17)!(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:22) (cid:31)(cid:13)(cid:22)(cid:17)(cid:3)(cid:27)(cid:17)(cid:12)(cid:28)(cid:17)(cid:11)(cid:13)(cid:23)(cid:29)(cid:11)(cid:17) 10 ) C 1 J h D = 0.50 Z t e( 0.20 s Rponaes l 0.1 000...010205 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τC 00R..14i 73(°33C75/89W39)82 00..τ00i00 (01s09e65c19)00 m her 0.01 0.01 CiC= iτi/Ri/iRi 0.4921007 0.0260060 T SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:17)(cid:15)(cid:3)(cid:3)"(cid:13)#(cid:15)(cid:12)(cid:29)(cid:12)(cid:3),!!(cid:17)(cid:24)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:17)(cid:3)(cid:27)(cid:11)(cid:13)(cid:20)(cid:22)(cid:15)(cid:17)(cid:20)(cid:23)(cid:3)(cid:27) (cid:17)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:3)-(cid:12)(cid:28)(cid:17)(cid:18)(cid:13)(cid:20)(cid:24)(cid:17).(cid:3)/(cid:29)(cid:20)(cid:24)(cid:23)(cid:15)(cid:10)(cid:20)(cid:4)(cid:23)(cid:10)(cid:4)(cid:31)(cid:13)(cid:22)(cid:17) www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) VDS L 350 RG D.U.T VDD myJ() 300 TOP I-D6.7A IAS A g -9.6A -20V DRIVER enr BOTTOM-14A tp 0.01Ω E 250 e h c n a 200 al v A 15V e 150 s ul P (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:16)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:3)2(cid:20)(cid:24)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:28)(cid:17)(cid:18)(cid:3)-(cid:20)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:17)(cid:3)(cid:27)(cid:17)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:31)(cid:15)(cid:11)(cid:24)(cid:29)(cid:15)(cid:23) eg l 100 n Si IAS , S 50 A E 0 25 50 75 100 125 150 Starting TJ , Junction Temperature (°C) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:15)(cid:3)(cid:3)"(cid:13)#(cid:15)(cid:12)(cid:29)(cid:12)(cid:3)&(cid:25)(cid:13)(cid:14)(cid:13)(cid:20)(cid:24) (cid:17)(cid:3),(cid:20)(cid:17)(cid:11)%(cid:30) (cid:25)(cid:22)(cid:26)(cid:3)(cid:2)(cid:11)(cid:13)(cid:15)(cid:20)(cid:3)(cid:31)(cid:29)(cid:11)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:23) tp V(BR)DSS (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:16)(cid:25)(cid:15)(cid:13)(cid:3)2(cid:20)(cid:24)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:28)(cid:17)(cid:18)(cid:3)-(cid:20)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:17)(cid:3)+(cid:13)(cid:25)(cid:17)!(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:22) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ QG 12V .2µF (cid:4)1(cid:7)( .3µF - QGS QGD D.U.T. +VDS VG VGS -3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:14)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:3)0(cid:13)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:3)’(cid:13)(cid:23)(cid:17)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)%(cid:17)(cid:3)+(cid:13)(cid:25)(cid:17)!(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:14)(cid:25)(cid:15)(cid:13)(cid:3)’(cid:13)(cid:23)(cid:17)(cid:3)(cid:31) (cid:13)(cid:11)%(cid:17)(cid:3)(cid:27)(cid:17)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:31)(cid:15)(cid:11)(cid:24)(cid:29)(cid:15)(cid:23) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + )(cid:11)(cid:13)(cid:30)(cid:18)(cid:11)(cid:10)(cid:6)+(cid:14)(cid:26)(cid:31)(cid:18)(cid:10)(cid:6))(cid:31)(cid:15)(cid:20)(cid:11)(cid:22)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:11)(cid:31)(cid:15)(cid:20) (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)3 • (cid:6)+(cid:31)(cid:21)(cid:6)!(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:26)(cid:6).(cid:15)(cid:22)(cid:18)(cid:30)(cid:10)(cid:14)(cid:15)(cid:30)(cid:8) (cid:3) (cid:6)(cid:6) • <(cid:13)(cid:31)(cid:18)(cid:15)(cid:22)(cid:6)6(cid:19)(cid:14)(cid:15)(cid:8) (cid:6)(cid:6) • +(cid:31)(cid:21)(cid:6)+(cid:8)(cid:14)B(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:6).(cid:15)(cid:22)(cid:18)(cid:30)(cid:10)(cid:14)(cid:15)(cid:30)(cid:8) (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6))(cid:18)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:15)(cid:10)(cid:6)%(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:20)"(cid:31)(cid:13)(cid:24)(cid:8)(cid:13) - + (cid:2) (cid:4) - + - (cid:1) (cid:7)(cid:3) • (cid:22)(cid:12)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:6)(cid:30)(cid:31)(cid:15)(cid:10)(cid:13)(cid:31)(cid:19)(cid:19)(cid:8)(cid:22)(cid:6)(cid:25)(cid:26)(cid:6)(cid:7)(cid:3) + •• .@(cid:5)(cid:28)(cid:6)A(cid:6)(cid:30)(cid:28)%(cid:31)(cid:28)(cid:15)(cid:6)/(cid:10)(cid:13)(cid:6)@(cid:31)(cid:19)(cid:8)(cid:19)(cid:8)(cid:12)(cid:22)(cid:11)(cid:30)(cid:6)(cid:25)(cid:8)(cid:26)(cid:6)A(cid:6)@(cid:15)(cid:18)(cid:22)(cid:10)(cid:8)(cid:26)(cid:13)(cid:6)(cid:6)2%(cid:14)(cid:8)(cid:30)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:31)(cid:13)(cid:6)9@9 - 5(cid:6)(cid:6) 5 (cid:3)(cid:5) 3(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:20)(cid:8)(cid:6)6(cid:31)(cid:19)(cid:14)(cid:13)(cid:11)(cid:10)(cid:26)(cid:6)(cid:31)"(cid:6)@(cid:28)A(cid:28)%(cid:6)"(cid:31)(cid:13)(cid:6)6/)(cid:23)(cid:14)(cid:15)(cid:15)(cid:8)(cid:19) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent 4(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)5 Ripple ≤ 5% ISD 333(cid:6)5 (cid:6)&(cid:6)(cid:5)(cid:28)(cid:1)5(cid:6)"(cid:31)(cid:13)(cid:6)+(cid:31)(cid:16)(cid:11)(cid:30)(cid:6)+(cid:8)(cid:12)(cid:8)(cid:19)(cid:6)(cid:14)(cid:15)(cid:22)(cid:6)(cid:4)5(cid:6)@(cid:13)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:6)@(cid:8)(cid:12)(cid:11)(cid:30)(cid:8)(cid:20) (cid:3)(cid:5) (cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:17)(cid:21)(cid:15)(cid:13))(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:31) (cid:13)(cid:20)(cid:20)(cid:17)(cid:14)(cid:3)6,7),(cid:27)$ www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:19)(cid:7)(cid:20)(cid:9)(cid:10)(cid:17) (cid:2)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:8)(cid:5)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:12)(cid:11)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:6)(cid:12)(cid:8)(cid:6)(cid:12)(cid:9)(cid:8)(cid:17)(cid:17)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:18)(cid:10)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:19)(cid:15)(cid:10)(cid:11)(cid:7) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 02 LINE L OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:21)(cid:3)(cid:22)(cid:17)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:24)(cid:17)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10) Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 1.60 (.063) 4.10 (.161) 3.90 (.153) 1.50 (.059) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 24.30 (.957) 15.42 (.609) 23.90 (.941) 15.22 (.601) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 09/05 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF9540NSPBF IRF9540NLPBF IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRRPBF