ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF9530NSPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF9530NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9530NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9530NSPBF价格参考。International RectifierIRF9530NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF9530NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9530NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF9530NSPBF是一款P沟道MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： IRF9530NSPBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中。其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其适合高效能的电源管理应用。 2. 电机控制： 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过快速开关和精确控制电流，它可以实现电机的速度和方向调节。 3. 负载开关： 在需要动态控制电路中负载通断的应用中，IRF9530NSPBF可以用作高效的负载开关，例如在汽车电子或工业设备中。 4. 逆变器和UPS系统： 它适用于不间断电源（UPS）和逆变器系统中，提供稳定的电流输出并支持高效的能量转换。 5. 电池管理系统（BMS）： 该器件可以用于保护电池组免受过流、短路等故障影响，确保电池的安全运行。 6. 音频功率放大器： 在某些音频功放设计中，IRF9530NSPBF可用作输出级元件，以提高效率并减少失真。 7. 汽车电子： 由于其耐高温特性和可靠性，IRF9530NSPBF常用于汽车电子系统，如电动窗、座椅调节器和照明控制等。 8. 继电器替代方案： 使用MOSFET代替传统机械继电器可以显著降低噪音并提高使用寿命，因此它也常被用作固态继电器。 总结来说，IRF9530NSPBF凭借其出色的电气性能和稳定性，在多种工业、消费类及汽车领域都有广泛应用。选择具体应用场景时需考虑实际工作条件下的电压、电流需求以及散热要求等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAKMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 14 A |
| Id-连续漏极电流 | - 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9530NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9530NSPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 38.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF9530NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 38.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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