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型号： IRF9530
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF9530产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9530由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9530价格参考￥2.18-￥2.18。VishayIRF9530封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF9530参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9530 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ABMOSFET -100V Single P-Channel HEXFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	12 A
Id-连续漏极电流	12 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9530-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF9530IRF9530
Pd-PowerDissipation	88 W
Pd-功率耗散	88 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	300 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	300 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 100 V
Vds-漏源极击穿电压	- 100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	52 ns
下降时间	39 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	860pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	300 毫欧 @ 7.2A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRF9530
典型关闭延迟时间	31 ns
功率-最大值	88W
功率耗散	88 W
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	300 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
汲极/源极击穿电压	- 100 V
漏极连续电流	12 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V