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  • 型号: IRF9392TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9392TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9392TRPBF价格参考。International RectifierIRF9392TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9392TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9392TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 17.5mOhm 25Vgs

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 9.8 A

Id-连续漏极电流

- 9.8 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9392TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF9392TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

47 ns

下降时间

58 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1270pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12.1 毫欧 @ 7.8A,20V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

73 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

36 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.8A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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