ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF9389TRPBF
/IRF9389TRPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF9389TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF9389TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9389TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9389TRPBF价格参考。International RectifierIRF9389TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.8A，4.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF9389TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9389TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6.8A/4.6A SO-8MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A, - 4.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9389TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9389TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 6.8 nC, 8.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.8 nC, 8.1 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms, 51 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V, - 1.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V, - 1.3 V |
| 上升时间 | 4.8 ns, 14 ns |
| 下降时间 | 3.9 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 398pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 6.8A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF9389TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns, 17 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | HEXFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 22 mOhms, 51 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.2 S, 4.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V, - 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.8 A, - 4.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A, 4.6A |
| 系列 | IRF939 |
| 配置 | Dual |
