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  • 型号: IRF9383MTR1PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9383MTR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9383MTR1PBF价格参考。International RectifierIRF9383MTR1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9383MTR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9383MTR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSF P CH 30V 22A DIRECTFETMOSFET P-CH -30V -160A 2.9mOhm -4.5V M-Can

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 160 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9383MTR1PBF-

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产品型号

IRF9383MTR1PBF

PCN其它

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PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

113 W

Pd-功率耗散

113 W

Qg-GateCharge

67 nC

Qg-栅极电荷

67 nC

RdsOn-漏源导通电阻

3.8 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 2.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 2.4 V

上升时间

160 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7305pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.9 毫欧 @ 22A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DIRECTFET™ MX

其它名称

IRF9383MTR1PBFCT

典型关闭延迟时间

115 ns

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3.8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

DirectFET™ 等容 MX

封装/箱体

DirectFET-7 MX

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

56 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 160 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Ta), 160A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9383mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9383mpbf.spi

配置

Dual

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