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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9362TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9362TRPBF价格参考。International RectifierIRF9362TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 8A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF9362TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9362TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF9362TRPBF是一款双通道P沟道增强型MOSFET阵列,广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:该器件常用于电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器等。由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效提高电源转换效率,降低能耗。 2. 负载开关:在需要频繁控制负载通断的应用中,IRF9362TRPBF可以作为高效的负载开关使用。例如,在电池管理系统(BMS)中,它可以帮助实现对电池充放电路径的精确控制,确保系统安全稳定运行。 3. 电机驱动:对于小型直流电机或步进电机的驱动电路,这款MOSFET阵列也十分适用。它可以承受较高的电流峰值,并且具备良好的热稳定性,适用于家电、工业自动化等领域。 4. 信号切换:在通信设备、音频处理单元等需要进行高速信号切换的地方,IRF9362TRPBF凭借其出色的开关速度和较低的寄生电容,能提供可靠的性能表现。 5. 保护电路:该器件还可以用作过流保护、短路保护等功能模块的核心元件之一,为整个电路提供必要的防护措施,防止因异常情况导致的损坏。 总之,IRF9362TRPBF凭借其优异的电气参数和可靠性,在众多领域都有着广泛的应用前景,尤其适合于要求高效能、高可靠性的电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8-SOICMOSFET Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capbl |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 8 A |
Id-连续漏极电流 | - 8 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9362TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF9362TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 13 nC |
Qg-栅极电荷 | 13 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 毫欧 @ 8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF9362TRPBFDKR |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 17 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 13 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9362pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9362pbf.spi |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |