ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > IRF8910TRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF8910TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8910TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8910TRPBF价格参考。International RectifierIRF8910TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 10A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF8910TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF8910TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF8910TRPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几方面: 1. 电源管理 - IRF8910TRPBF常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为功率开关元件。其低导通电阻和高开关速度使其适合高效能的电压调节应用。 - 在电池充电电路中,可用于控制充电电流和电压,确保电池安全充电。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关控制。 - 可用于家电、工业自动化设备中的电机控制系统,如风扇、泵、压缩机等。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中,用于信号路径的切换,支持高速数字信号传输。 - 适用于通信设备中的射频(RF)和音频信号切换。 4. 负载控制 - 在汽车电子系统中,用于控制各种负载(如车灯、雨刷、电动座椅等)的开关。 - 在消费电子产品中,用于LED驱动、背光控制等。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护和过温保护电路中,提供快速响应和可靠的保护功能。 - 在USB接口保护电路中,防止过载或异常电流对设备造成损害。 6. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持可再生能源系统的电力输出。 - 在太阳能微逆变器中,实现高效的能量转换和管理。 特性优势: - 高耐压:IRF8910TRPBF具有较高的漏源极击穿电压(Vds),适用于高压应用场景。 - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 高开关速度:支持高频工作环境,减少电磁干扰(EMI)。 综上所述,IRF8910TRPBF广泛应用于需要高效功率控制和信号切换的场景,尤其适合对可靠性和性能要求较高的工业、汽车及消费类电子产品领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
Ciss-输入电容 | 960 pF |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8910TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF8910TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 7.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.55 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 4.1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.4 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF8910PBFDKR |
典型关闭延迟时间 | 9.7 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 24 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8910.spi |
配置 | Dual |