Datasheet下载- 型号： IRF8910GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8910GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8910GTRPBF价格参考。International RectifierIRF8910GTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8910GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8910GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF8910GTRPBF是一种晶体管阵列，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号由多个MOSFET单元集成在一个封装内，适用于需要多路开关或驱动功能的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - IRF8910GTRPBF可用于电源管理系统中，例如DC-DC转换器、电压调节模块等。通过多个MOSFET的协同工作，实现高效的电源切换和稳压功能。 - 适合需要多通道输出的设备，如多路供电电路。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动中，该器件可以用于H桥电路或多相电机控制。每个MOSFET单元可以独立控制不同的电机绕组，从而实现精确的速度和方向控制。 - 应用于家用电器（如风扇、水泵）或工业自动化设备中的小型电机。 3. 信号切换与隔离 - 由于MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，IRF8910GTRPBF可作为信号切换元件，用于多路复用器或多路选择器设计。 - 在通信系统中，可用于射频（RF）信号的切换或隔离。 4. 负载开关 - 在电子设备中，该器件可用作负载开关，控制不同负载的供电状态。例如，在便携式设备中，实现电池充电路径的切换或保护功能。 - 适用于消费电子产品、笔记本电脑或移动电源等应用。 5. LED驱动 - 在LED照明应用中，IRF8910GTRPBF可用于驱动多个LED串或矩阵，提供精确的电流控制和调光功能。 - 特别适合大屏幕显示、背光驱动或汽车照明系统。 6. 继电器替代 - 由于其固态特性和长寿命，IRF8910GTRPBF可以用作传统机械继电器的替代品，用于高频开关或高可靠性要求的场景。 7. 数据通信与网络设备 - 在网络设备中，该器件可用于电源分配、信号路由或故障保护等功能，确保系统的稳定运行。 总结 IRF8910GTRPBF凭借其集成化的MOSFET阵列设计，广泛应用于电源管理、电机控制、信号切换、负载开关、LED驱动等领域。其高效性、可靠性和灵活性使其成为多种电子系统中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8910GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8910GTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.55 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.55 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8910GTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
| 配置 | Single |
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