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Datasheet下载- 型号： IRF8707TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8707TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8707TRPBF价格参考。International RectifierIRF8707TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF8707TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8707TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF8707TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 IRF8707TRPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，作为功率开关元件。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统的效率。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，特别适用于需要高效率和低发热的应用场景。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，IRF8707TRPBF可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较高的电压和电流波动，确保电机运行的稳定性和可靠性。此外，MOSFET的快速开关特性使得它在脉宽调制（PWM）控制中表现出色，能够精确调节电机的速度和扭矩。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，IRF8707TRPBF可以用于保护电池免受过充、过放和短路等异常情况的影响。通过精确控制充电和放电路径，MOSFET能够有效延长电池的使用寿命，并确保系统的安全性。 4. 负载切换与保护 该器件还适用于负载切换应用，如智能家电、工业控制系统等。它可以快速响应负载的变化，提供过流保护和短路保护功能，确保系统的稳定运行。由于其低导通电阻，IRF8707TRPBF在大电流负载切换时能够保持较低的温升，提升系统的可靠性。 5. 通信设备 在通信基站、服务器和其他高性能计算设备中，IRF8707TRPBF可用于电源模块中的功率分配和稳压电路。其高频率开关特性和低损耗性能使其成为这些应用的理想选择，能够满足通信设备对高效能和可靠性的严格要求。 总之，IRF8707TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和控制的场合表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8707TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8707TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 6.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8707TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 6.2 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8707pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8707pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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