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  • 型号: IRF8513TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8513TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8513TRPBF价格参考。International RectifierIRF8513TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF8513TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF8513TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8513TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF8513TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

Qg-GateCharge

5.7 nC

Qg-栅极电荷

5.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

766pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15.5 毫欧 @ 8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF8513TRPBFCT

功率-最大值

1.5W,2.4W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

22.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A,11A

配置

Dual

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