图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF840SPBF
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF840SPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840SPBF价格参考。VishayIRF840SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF840SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF840SPBF 是 Vishay Siliconix 品牌下的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   IRF840SPBF 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 Vds = 500V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如:
   - 反激式转换器
   - 正激式转换器
   - 降压/升压转换器

 2. 电机驱动
   该器件可以用于低功率到中功率的电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节。其典型应用包括:
   - 小型直流电机控制
   - 家用电器中的电机驱动(如风扇、泵)

 3. 逆变器
   在光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,IRF840SPBF 可作为开关元件,实现直流到交流的转换。

 4. 电子负载
   由于其良好的电流处理能力和较低的导通电阻(Rds(on) = 0.9 Ω @ Vgs = 10V),该 MOSFET 可用于模拟电子负载,测试电源和其他电子设备的性能。

 5. 继电器替代
   在需要频繁开关的场景中,IRF840SPBF 可以替代机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。例如:
   - 汽车电子中的负载切换
   - 工业自动化中的信号切换

 6. 保护电路
   该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路中,确保系统的安全运行。

 7. 音频放大器
   在一些低失真音频放大器设计中,IRF840SPBF 可用作输出级的开关或驱动元件。

 总结
IRF840SPBF 凭借其高耐压、适中的导通电阻和良好的开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电子负载、继电器替代和保护电路等领域。其具体应用场景取决于实际电路设计的需求和工作条件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840SPBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91071

产品型号

IRF840SPBFIRF840SPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

63nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

*IRF840SPBF

典型关闭延迟时间

49 ns

功率-最大值

3.1W

功率耗散

3.1 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

850 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

推荐商品

型号:FQA44N10

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:2SK2094TL

品牌:Rohm Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF7811TR

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSZ035N03LSGATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TPC8129,LQ(S

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDT458P

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXFN180N15P

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP18NM60N

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRF840SPBF 相关产品

BSP318S E6327

品牌:Infineon Technologies

价格:

STH250N55F3-6

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRFR9214TRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRL2910STRL

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFS31N20DTRRP

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF9630L

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRL3715L

品牌:Infineon Technologies

价格:

AO7401

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格: