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  • 型号: IRF840LCPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840LCPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840LCPBF价格参考¥6.56-¥10.63。VishayIRF840LCPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF840LCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840LCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF840LCPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRF840LCPBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的通断。
   - 它适用于降压、升压或反激式转换器等拓扑结构,提供稳定的电压输出。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,实现电机的启动、停止和速度控制。
   - 其低导通电阻特性有助于减少功耗,提高效率。

 3. 负载切换
   - 用于负载切换电路中,控制高电流负载的开启与关闭。
   - 例如,在汽车电子系统中,可以用来控制车灯、风扇或其他电气设备的供电。

 4. 逆变器
   - 在小型逆变器中,IRF840LCPBF可以用作功率级开关,将直流电转换为交流电。
   - 适用于家用电器、太阳能逆变器等场景。

 5. 音频放大器
   - 在某些音频功率放大器中,该MOSFET可用作输出级器件,提供大电流驱动能力。
   - 其快速开关特性和低损耗有助于改善音质。

 6. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应切断异常电流路径,保护其他电路元件。
   - 例如,在电池管理系统中,防止过充或过放。

 7. 脉宽调制(PWM)控制器
   - 在PWM控制电路中,IRF840LCPBF作为功率开关,调节输出电压或电流。
   - 常见于LED驱动、加热器控制等应用。

 性能特点:
- 最大漏源电压(Vds):500V,适合高压环境。
- 持续漏极电流(Id):8A,满足较高电流需求。
- 栅极阈值电压(Vgs(th)):4V,易于驱动。
- 低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗。

综上所述,IRF840LCPBF凭借其高压、高电流特性以及良好的开关性能,成为许多功率电子应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840LCPBF-

数据手册

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产品型号

IRF840LCPBFIRF840LCPBF

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

25 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4.8A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF840LCPBF

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

125W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

850 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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