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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840LCPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840LCPBF价格参考¥6.56-¥10.63。VishayIRF840LCPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF840LCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840LCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF840LCPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF840LCPBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的通断。 - 它适用于降压、升压或反激式转换器等拓扑结构,提供稳定的电压输出。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,实现电机的启动、停止和速度控制。 - 其低导通电阻特性有助于减少功耗,提高效率。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中,控制高电流负载的开启与关闭。 - 例如,在汽车电子系统中,可以用来控制车灯、风扇或其他电气设备的供电。 4. 逆变器 - 在小型逆变器中,IRF840LCPBF可以用作功率级开关,将直流电转换为交流电。 - 适用于家用电器、太阳能逆变器等场景。 5. 音频放大器 - 在某些音频功率放大器中,该MOSFET可用作输出级器件,提供大电流驱动能力。 - 其快速开关特性和低损耗有助于改善音质。 6. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应切断异常电流路径,保护其他电路元件。 - 例如,在电池管理系统中,防止过充或过放。 7. 脉宽调制(PWM)控制器 - 在PWM控制电路中,IRF840LCPBF作为功率开关,调节输出电压或电流。 - 常见于LED驱动、加热器控制等应用。 性能特点: - 最大漏源电压(Vds):500V,适合高压环境。 - 持续漏极电流(Id):8A,满足较高电流需求。 - 栅极阈值电压(Vgs(th)):4V,易于驱动。 - 低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗。 综上所述,IRF840LCPBF凭借其高压、高电流特性以及良好的开关性能,成为许多功率电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840LCPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF840LCPBFIRF840LCPBF |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.8A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF840LCPBF |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 850 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |