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  • 型号: IRF840ASPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF840ASPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840ASPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840ASPBF价格参考。VishayIRF840ASPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF840ASPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840ASPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF840ASPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。它广泛应用于多种电力电子场景,主要用途包括:

1. 开关电源(SMPS):IRF840ASPBF常用于开关电源中的功率开关,适用于降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻和高击穿电压(500V)使其能够在高压环境下稳定工作。

2. 电机驱动:该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。

3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF840ASPBF可以用来实现直流到交流的转换,适合中小型功率应用。

4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的电路中,该MOSFET可以用作电子开关,例如汽车电子系统中的负载切换。

5. 脉宽调制(PWM)控制器:由于其快速的开关特性和良好的热稳定性,IRF840ASPBF非常适合用作PWM信号的功率输出级,用于调节输出电压或电流。

6. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路中,该MOSFET可以用作开关或限流元件,确保系统的安全运行。

7. 音频功放:在某些D类音频放大器设计中,IRF840ASPBF可以用作输出级的开关元件,提供高效能的声音放大。

总体而言,IRF840ASPBF凭借其高耐压能力、适中的导通电阻以及优秀的开关性能,在中小功率的工业控制、消费电子和汽车电子领域具有广泛应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840ASPBF-

数据手册

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产品型号

IRF840ASPBFIRF840ASPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

23 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1018pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

*IRF840ASPBF

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

3.1W

功率耗散

3.1 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

850 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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