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IRF840ASPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840ASPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840ASPBF价格参考。VishayIRF840ASPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF840ASPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840ASPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF840ASPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。它广泛应用于多种电力电子场景,主要用途包括: 1. 开关电源(SMPS):IRF840ASPBF常用于开关电源中的功率开关,适用于降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻和高击穿电压(500V)使其能够在高压环境下稳定工作。 2. 电机驱动:该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF840ASPBF可以用来实现直流到交流的转换,适合中小型功率应用。 4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的电路中,该MOSFET可以用作电子开关,例如汽车电子系统中的负载切换。 5. 脉宽调制(PWM)控制器:由于其快速的开关特性和良好的热稳定性,IRF840ASPBF非常适合用作PWM信号的功率输出级,用于调节输出电压或电流。 6. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路中,该MOSFET可以用作开关或限流元件,确保系统的安全运行。 7. 音频功放:在某些D类音频放大器设计中,IRF840ASPBF可以用作输出级的开关元件,提供高效能的声音放大。 总体而言,IRF840ASPBF凭借其高耐压能力、适中的导通电阻以及优秀的开关性能,在中小功率的工业控制、消费电子和汽车电子领域具有广泛应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840ASPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF840ASPBFIRF840ASPBF |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1018pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRF840ASPBF |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
功率-最大值 | 3.1W |
功率耗散 | 3.1 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 850 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |