(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)97145 IRF8313PbF HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET Applications V R max Qg (cid:2) Load Switch DSS DS(on) (cid:2) DC/DC Conversion 30V 15.5m(cid:2)@V = 10V 6.0nC GS Benefits (cid:2) Low Gate Charge and Low R DS(on) (cid:2) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current S2 1 8 D2 (cid:2) 20V V Max. Gate Rating GS G2 2 7 D2 (cid:2) 100% Tested for R G S1 3 6 D1 (cid:2) Lead-Free (Qualified to 260°C Reflow) (cid:2) RoHS Compliant (Halogen Free) G1 4 5 D1 SO-8 Description The IRF8313PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8313PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 DS V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 9.7 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 8.1 A IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 81 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.0 W PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.3 Linear Derating Factor 0.016 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 175 °C TSTG Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Drain Lead (cid:2) ––– 42 θJL °C/W R Junction-to-Ambient (cid:3)(cid:2) ––– 62.5 θJA Notes(cid:3)(cid:2) through (cid:3) are on page 9 ORDERING INFORMATION: See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet. www.irf.com 1 11/5/08

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.021 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 12.5 15.5 V = 10V, I = 9.7A (cid:4) DS(on) mΩ GS D ––– 18.6 21.6 V = 4.5V, I = 8.0A (cid:4) GS D V Gate Threshold Voltage 1.35 1.80 2.35 V V = V , I = 25μA GS(th) DS GS D ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.0 ––– mV/°C GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 V = 24V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 20V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 23 ––– ––– S V = 15V, I = 8.0A DS D Q Total Gate Charge ––– 6.0 9.0 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.5 ––– V = 15V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 0.9 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 2.2 ––– I = 8.0A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 1.4 ––– See Figs. 17a & 17b godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 2.9 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 3.8 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 2.2 3.6 Ω g t Turn-On Delay Time ––– 8.3 ––– V = 15V, V = 4.5V d(on) DD GS t Rise Time ––– 9.9 ––– I = 8.0A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 8.5 ––– RG = 1.8Ω t Fall Time ––– 4.2 ––– See Fig. 15a & 15b f C Input Capacitance ––– 760 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 172 ––– pF V = 15V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 87 ––– ƒ = 1.0MHz rss Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 46 mJ AS I Avalanche Current (cid:2) ––– 8.0 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– MOSFET symbol D S 3.1 A (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current ––– ––– integral reverse G SM 82 A (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V TJ = 25°C, IS = 8.0A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 20 30 ns TJ = 25°C, IF = 8.0A, VDD = 15V Q Reverse Recovery Charge ––– 10 15 nC di/dt = 100A/μs (cid:4) rr t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on 2 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) 100 100 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V A) 4.5V A) 4.5V n(t 10 33..50VV n(t 33..50VV e 2.7V e 2.7V urr 2.5V urr 10 2.5V C BOTTOM 2.3V C BOTTOM 2.3V e e c c ur 1 ur o o S S o- o- Danr-it 0.1 Danr-ti 1 2.3V , D ≤60μs PULSE WIDTH , D I I Tj = 25°C ≤60μs PULSE WIDTH 2.3V Tj = 175°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 ec ID = 9.8A n A) assti VGS = 10V (unerrt 10 TJ = 175°C ORen 1.5 C e d) ueocr 1 Soucr meazli DSanor--, tIiD 0.1 TJ = 2V≤56D°0CSμ s= P 1U5LVSE WIDTH Dnoa--r, tiRDSno)( Nor( 1.0 0.01 0.5 1 2 3 4 5 6 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TJ , Junction Temperature (°C) VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) 10000 16 VCGissS == C0gVs, + C gf d=, 1 C MdsH SZHORTED ID= 8.0A Crss = Cgd Ve() VDS= 24V Coss = Cds + Cgd ag 12 VDS= 15V Fp) 1000 Ciss Votl e( e CCanapacct, i 100 CCrossss GSuaeoocr--tt 8 , S 4 G V 0 10 0 2 4 6 8 10 12 14 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Qg, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Fig 6. Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) CAnuer()rt 10 TJ = 175°C CAuen(rr)t 100 100μsec Danr i eoucr 10 1msec es TJ = 25°C So- eevr 1 an-ti 10msec RI, DS DrI, D 1 TA = 25°C Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) 10 2.5 V) 8 ge( ID = 250μA a 2.0 Auen(rr)t 6 Vohod tll ID = 25μA Cna i Thesr 1.5 Dr 4 e , ID Gat, h) 1.0 2 S(t G V 0 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TA, Ambient Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Ambient Temperature 100 D = 0.50 )A 10 0.20 J Zh t 0.10 Ri (°C/W) τι (sec) e( 0.05 0.1396039 0.000010 mRponheaessr l 0.11 00..0021 τJτJτ1Cτ1i= τi/RiR1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44 Rτ55Rτ55 Rτ66Rτ66 Rτ77Rτ77 Rτ88Rτ88 τa 10011738.....3.452500.0207351478799083494229994696520715756650694 20000007.......000005700000790010958002373332844440090761 T SINGLE PULSE Ci i/Ri ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient www.irf.com 5

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) )Ω 38 200 me( ID = 9.8A mJ) ID Rnacnesst i 3304 Eegenhyr( 160 T B O O PT T O M 538...000AAA Oe 26 anc 120 ucr avl o A Sano-- ti 1282 TJ = 125°C Peeus l 80 Dr gl no), 14 TJ = 25°C SniS, 40 (S A D 10 E R 0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 25 50 75 100 125 150 175 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2(cid:23)0(cid:2)V(cid:3) tp 0.01Ω IAS Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:2) (cid:2) VDS (cid:2)(cid:3) 90% (cid:2) (cid:22)(cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) (cid:22) +(cid:2) - (cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:22)(cid:3) 10% (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) VGS (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms 6 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:23) (cid:4) (cid:24)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:25)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:26)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:25)(cid:20)(cid:27)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:28)(cid:26)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:26)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:26)(cid:8) - (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:9)•(cid:9)(cid:9) (cid:9) (cid:24)(cid:25)(cid:20)(cid:5)(cid:27)(cid:21)(cid:21)(cid:9)(cid:8)(cid:25)(cid:26)(cid:8)(cid:13)(cid:18)(cid:9)(cid:31)(cid:29)(cid:21)(cid:18)(cid:18)(cid:30)(cid:26)(cid:8)(cid:7)(cid:9) (cid:28)(cid:20)(cid:26)(cid:21)(cid:12)!(cid:5)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:26)(cid:19)(cid:8) D.U.T. ISDWaveform + (cid:6) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:2) (cid:3)(cid:22) • (cid:12)"#(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:26)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)$(cid:16)(cid:9)%(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)"(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18)!(cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)&(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)’(’(cid:31)’ + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:28)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:26)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)$(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9))(cid:2)) - Inductor Curent • (cid:2)’(’(cid:31)’(cid:9)*(cid:9)(cid:2)(cid:8)"(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)((cid:26)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:31)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:23)(cid:8)(cid:2) (cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:2)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:14)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:21) (cid:22)(cid:3) Fig 16. (cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:6)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:10)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:11)(cid:14)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:4)(cid:21)(cid:9)(cid:15)(cid:13)(cid:22)(cid:9)(cid:18)(cid:4)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:4)Power MOSFETs Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 210KK S Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 17a. Gate Charge Test Circuit Fig 17b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) SO-8 Package Outline Dimensions are shown in milimeters (inches) INCHES MILLIMETERS DIM D B MIN MAX MIN MAX A 5 A .0532 .0688 1.35 1.75 A1 .0040 .0098 0.10 0.25 b .013 .020 0.33 0.51 8 7 6 5 c .0075 .0098 0.19 0.25 6 H D .189 .1968 4.80 5.00 E 0.25 [.010] A E .1497 .1574 3.80 4.00 1 2 3 4 e .050 BASIC 1.27 BASIC e1 .025 BASIC 0.635 BASIC H .2284 .2440 5.80 6.20 6X e K .0099 .0196 0.25 0.50 L .016 .050 0.40 1.27 y 0° 8° 0° 8° e1 K x 45° A C y 0.10 [.004] 8X b A1 8X L 8X c 0.25 [.010] C A B 7 FOOTPRINT 8X 0.72 [.028] NOTES: 1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER 3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES]. 4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA. 5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006]. 6.46 [.255] 6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010]. 7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE. 3X 1.27 [.050] 8X 1.78 [.070] SO-8 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRF7101 (MOSFET) DATE CODE (YWW) P = DISGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR WW = WEEK XXXX A = ASSEMBLY SITE CODE INTERNATIONAL F7101 RECTIFIER LOT CODE LOGO PART NUMBER Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 8 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) SO-8 Tape and Reel Dimensions are shown in milimeters (inches) TERMINAL NUMBER 1 12.3 ( .484 ) 11.7 ( .461 ) 8.1 ( .318 ) 7.9 ( .312 ) FEED DIRECTION NOTES: 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 330.00 (12.992) MAX. 14.40 ( .566 ) 12.40 ( .488 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:2)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:6) (cid:8)Starting TJ = 25°C, L = 1.43mH, RG = 25Ω, IAS = 8.0A. (cid:4) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:5) When mounted on 1 inch square copper board. (cid:3) Rθ is measured at (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:20) Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Standard Pack Note Orderable Part number Package Type Form Quantity IRF8313PbF SO-8 Tube/Bulk 95 IRF8313TRPbF SO-8 Tape and Reel 4000 Qualification Information† Consumer †† Qualification Level (per JEDEC JESD47F††† guidelines) Moisture Sensitivity Level SO-8 MSL1 (per JEDEC J-STD-020D†††) RoHS Compliant Yes (cid:24)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:25)(cid:22)(cid:7)(cid:26)(cid:9)(cid:27)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:28)(cid:11)(cid:7)(cid:15)(cid:11)(cid:20)(cid:4)(cid:13)(cid:7)(cid:28)(cid:4)(cid:29)(cid:6)(cid:4)(cid:27)(cid:10)(cid:22)(cid:28)(cid:11)(cid:4)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:30)(cid:28)(cid:18)(cid:6)(cid:15)(cid:28)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:28)(cid:7)(cid:26)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:18)(cid:9)(cid:27)(cid:9)(cid:6)(cid:15)(cid:31)(cid:20)(cid:4) (cid:6)(cid:29)(cid:4)(cid:20)(cid:9)(cid:18)(cid:6)!(cid:4)(cid:4)"(cid:18)(cid:18)#(cid:17)(cid:17) $(cid:9)(cid:15)(cid:27)$(cid:13)(cid:10)%(cid:17) (cid:24)(cid:24)(cid:4)(cid:4)(cid:4)&(cid:9)’"(cid:6)(cid:15)(cid:4)((cid:22)(cid:7)(cid:26)(cid:9)(cid:27)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:15)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:28)’(cid:20)(cid:4)%(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:29)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:9)(cid:26)(cid:7)(cid:29)(cid:26)(cid:6)(cid:4)(cid:20)"(cid:10)(cid:22)(cid:26)(cid:11)(cid:4)(cid:18)"(cid:6)(cid:4)(cid:22)(cid:20)(cid:6)(cid:15)(cid:4)"(cid:7)(cid:14)(cid:6)(cid:4)(cid:20)(cid:22)(cid:13)"(cid:4)(cid:15)(cid:6)((cid:22)(cid:9)(cid:15)(cid:6)%(cid:6)(cid:28)(cid:18)(cid:20)$ (cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:7)(cid:20)(cid:6)(cid:4)(cid:13)(cid:10)(cid:28)(cid:18)(cid:7)(cid:13)(cid:18)(cid:4)(cid:16)(cid:10)(cid:22)(cid:15)(cid:4)(cid:30)(cid:28)(cid:18)(cid:6)(cid:15)(cid:28)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:28)(cid:7)(cid:26)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:18)(cid:9)(cid:27)(cid:9)(cid:6)(cid:15)(cid:4)(cid:20)(cid:7)(cid:26)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:15)(cid:6)#(cid:15)(cid:6)(cid:20)(cid:6)(cid:28)(cid:18)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:14)(cid:6)(cid:4)(cid:27)(cid:10)(cid:15)(cid:4)(cid:27)(cid:22)(cid:15)(cid:18)"(cid:6)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:28)(cid:27)(cid:10)(cid:15)%(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:28)! (cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)"(cid:18)(cid:18)#(cid:17)(cid:17) $(cid:9)(cid:15)(cid:27)$(cid:13)(cid:10)%(cid:17) "(cid:10)(cid:18)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:20)(cid:7)(cid:26)(cid:6)(cid:20)(cid:15)(cid:6)#(cid:17) (cid:24)(cid:24)(cid:24) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.11/08 10 www.irf.com