ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF830STRR
Datasheet下载- 型号： IRF830STRR
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830STRR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830STRR价格参考。VishayIRF830STRR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF830STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF830STRR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源：IRF830STRR适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、逆变器和SMPS（开关模式电源）。其低导通电阻和高击穿电压特性使其能够高效地处理大电流和高电压。 2. 电机控制：该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机速度和方向的有效调节。 3. 负载开关：在需要快速切换负载的应用中，例如汽车电子系统或消费电子产品中的电源管理部分，IRF830STRR可以用作高效的负载开关。 4. 继电器替代：由于其固态特性和长寿命，它可以替代传统的机电继电器用于各种开关应用，提供更可靠和安静的操作。 5. 保护电路：在过流保护、短路保护等安全电路设计中，这款MOSFET能迅速响应并切断异常电流路径，从而保护下游设备。 6. 音频功率放大器：在某些音响设备中，它可作为输出级元件来放大信号，确保良好的音质表现。 7. 电信与网络设备：用于基站、路由器等通信设施内的信号调理及电源分配环节。 总之，凭借其出色的电气性能参数（如最大漏源电压Vds=500V、连续漏极电流Id=8A）以及紧凑的封装形式（TO-220AB），IRF830STRR非常适合应用于多种工业、商业及消费类电子产品领域中涉及高压、大电流操作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91064 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF830STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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