ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF830STRL
Datasheet下载- 型号： IRF830STRL
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830STRL由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830STRL价格参考。VishayIRF830STRL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF830STRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830STRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF830STRL是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRF830STRL适用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过控制栅极电压，可以实现对电机速度和方向的精确调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的情况下，如LED照明系统或汽车电子设备中，IRF830STRL能够提供可靠的切换功能。 4. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的功率逆变器中，此MOSFET可以用作功率级元件，将直流电转换为交流电。 5. 保护电路：由于其具备良好的过流保护能力，因此适合用作过载保护或短路保护电路的一部分。 6. 音频放大器：在某些高性能音频放大器设计中，IRF830STRL可用作输出级器件，以提供更大的输出功率和更好的音质表现。 7. 电池管理：在电池充电和管理系统中，该MOSFET可用于控制充电电流以及防止过度放电。 总之，IRF830STRL凭借其优异的电气性能和稳定性，在众多需要高效能功率控制的应用领域都具有重要价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91064 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF830STRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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