ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF830SPBF
Datasheet下载- 型号： IRF830SPBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830SPBF价格参考。VishayIRF830SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF830SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF830SPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF830SPBF适用于开关电源中的功率开关，用于控制电压和电流的转换。 - 其高耐压能力（最大漏源极电压可达500V）使其适合高压直流-直流转换器和交流-直流适配器。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器（如风扇、水泵）和工业设备中的电机控制。 3. 逆变器 - IRF830SPBF可用于光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，将直流电转换为交流电。 - 其低导通电阻（典型值为0.75Ω）有助于提高效率并减少发热。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载电流的应用中，该MOSFET可以用作负载开关，快速开启或关闭负载。 - 常见于汽车电子、电池管理系统（BMS）和便携式设备中。 5. 脉宽调制（PWM）电路 - 由于其快速开关特性，IRF830SPBF适合用于PWM控制电路，调节输出电压或电流。 - 应用于LED驱动、音频放大器和其他需要精确控制的场景。 6. 继电器替代 - 在某些应用中，IRF830SPBF可以替代传统机械继电器，实现更可靠、更快的电子开关功能。 - 适用于工业自动化设备和家用电器。 7. 保护电路 - 可用作过流保护或短路保护开关，在检测到异常时迅速切断电路，保护后端设备。 总结 IRF830SPBF凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，成为许多高压、高效率应用场景的理想选择。它广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子和可再生能源领域。在设计过程中，需注意散热管理以及栅极驱动电压的匹配，以确保其稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF830SPBFIRF830SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF830SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
