ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF830ASPBF
Datasheet下载- 型号： IRF830ASPBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830ASPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830ASPBF价格参考。VishayIRF830ASPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF830ASPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830ASPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF830ASPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IRF830ASPBF适用于开关电源中的功率开关器件，例如降压、升压或反激式转换器。其高耐压（500V）特性使其能够承受较高的电压波动，适合用于离线式开关电源。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、转向和速度调节。其低导通电阻（典型值为0.65Ω）有助于降低功耗。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRF830ASPBF可以用于将直流电转换为交流电。其高频开关能力支持高效的逆变过程。 4. 负载开关： 该器件可用作负载开关，控制电路中特定负载的通断。其增强型特性确保在栅极电压达到阈值时可靠开启。 5. 保护电路： 在过流保护、短路保护等电路中，IRF830ASPBF可作为关键开关元件，快速切断异常电流路径以保护系统。 6. 音频功率放大器： 在某些D类音频放大器中，该MOSFET可用作输出级开关，实现高效的声音信号放大。 7. 继电器替代： 由于其快速开关特性和可靠性，IRF830ASPBF可以替代传统机械继电器，用于需要频繁切换的应用场景。 总之，IRF830ASPBF凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。在选择具体应用时，需根据实际需求考虑散热设计和驱动电路匹配等问题。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830ASPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91062 |
| 产品型号 | IRF830ASPBFIRF830ASPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF830ASPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
