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IRF830APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830APBF价格参考。VishayIRF830APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF830APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF830APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF830APBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRF830APBF适用于开关电源中的功率开关,用于控制电压和电流的转换。其低导通电阻和高击穿电压(500V)使其能够承受较高的电压波动,适合于离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和耐压能力确保了在高频工作环境下的稳定运行。 3. 逆变器: 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRF830APBF可以作为功率开关,将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性提高了系统的效率和可靠性。 4. 负载开关: 用于负载切换的应用中,例如电池管理系统(BMS)或汽车电子设备。它可以通过精确控制电流流动来保护电路免受过载或短路的影响。 5. 脉宽调制(PWM)控制器: 在音频放大器或LED驱动器中,IRF830APBF可以用作PWM信号的输出级开关,实现对输出功率的精准调控。 6. 保护电路: 在过流保护、过压保护和短路保护电路中,这款MOSFET可以快速响应异常情况并切断电流路径,从而保护敏感元件。 7. 继电器替代: 由于其固态特性和长寿命,IRF830APBF常被用作机械继电器的替代品,在需要频繁开关操作的地方提供更可靠的选择。 总结来说,IRF830APBF凭借其优异的电气性能和稳定性,成为众多高压、高频应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF830APBFIRF830APBF |
Pd-PowerDissipation | 74 W |
Pd-功率耗散 | 74 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 3A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF830APBF |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 74W |
功率耗散 | 74 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.4 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 5 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |