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  • 型号: IRF830ALPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF830ALPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830ALPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830ALPBF价格参考。VishayIRF830ALPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK。您可以下载IRF830ALPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF830ALPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF830ALPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):IRF830ALPBF因其低导通电阻和高击穿电压特性,非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。

2. 电机驱动:该器件可用于控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节,适用于家用电器、工业自动化设备以及电动工具等领域。

3. 负载切换与保护电路:在需要快速开启或关闭负载电流的情况下,如电池管理系统(BMS)、汽车电子系统中,这款MOSFET可以作为理想的开关元件,同时提供过流保护功能。

4. 逆变器和太阳能微逆变器:由于其较高的耐压能力(600V),IRF830ALPBF适合用作逆变器中的功率开关,将直流电转换为交流电,支持可再生能源发电系统的运行。

5. 音频放大器:在某些高性能音频功放设计中,这种MOSFET可以用作输出级器件,以实现高效能的声音信号放大。

6. 脉宽调制(PWM)控制器:凭借其优良的动态性能,IRF830ALPBF能够很好地配合PWM信号工作,在LED照明驱动、加热器控制等方面发挥重要作用。

总之,IRF830ALPBF以其出色的电气特性和可靠性,成为众多高压、大电流应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830ALPBF-

数据手册

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产品型号

IRF830ALPBFIRF830ALPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

21 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

620pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 3A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

*IRF830ALPBF

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

3.1W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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