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Datasheet下载- 型号： IRF8301MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8301MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8301MTRPBF价格参考。International RectifierIRF8301MTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 34A（Ta），192A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF8301MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8301MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF8301MTRPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。该型号具有多种应用场景，特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电路设计中。 1. 电源管理 IRF8301MTRPBF广泛应用于电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速响应电压变化，确保输出电压的稳定性和精度。 2. 电机驱动 该器件适用于各种电机驱动电路，尤其是无刷直流电机（BLDC）和步进电机。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机转速和扭矩的精准调节。此外，其出色的热性能和耐用性使其能够在高负载条件下长时间稳定工作。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，IRF8301MTRPBF用于将直流电转换为交流电。其高速开关特性和低损耗特点使得它能够在高频条件下高效运行，减少能量损失，提升系统的整体效率。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，IRF8301MTRPBF可用于保护电路，防止过充、过放和短路等问题。它可以通过快速切断电流路径来保护电池组免受损坏，同时确保系统安全可靠地运行。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，这款MOSFET常用于伺服控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）和传感器接口电路中。它能够承受较高的电压和电流冲击，适合恶劣的工作环境，提供稳定的信号传输和控制功能。 6. 消费电子 IRF8301MTRPBF还广泛应用于消费电子产品中，如智能手机充电器、笔记本电脑适配器等。其紧凑的封装形式和高性能表现使其成为小型化、便携式设备的理想选择。 总之，IRF8301MTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场合，尤其在需要高效能和低功耗的设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MTMOSFET MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MT |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 192 A |
| Id-连续漏极电流 | 192 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8301MTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8301MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 51 nC |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6140pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 毫欧 @ 32A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 其它名称 | IRF8301MTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | DirectFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MT |
| 工厂包装数量 | 4800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta）， 34A （Tc） |
| 配置 | Single |
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