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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820ALPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820ALPBF价格参考。VishayIRF820ALPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF820ALPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820ALPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820ALPBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91058 |
产品型号 | IRF820ALPBFIRF820ALPBF |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | *IRF820ALPBF |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | IRF/SIHF820 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |