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  • 型号: IRF8113GTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8113GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8113GTRPBF价格参考。International RectifierIRF8113GTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF8113GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF8113GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17.2 A

Id-连续漏极电流

17.2 A

品牌

International Rectifier

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rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8113GTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF8113GTRPBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

24 nC

Qg-栅极电荷

24 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

8.9 ns

下降时间

3.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2910pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.6 毫欧 @ 17.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF8113GTRPBFCT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

73 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17.2A (Ta)

配置

Single

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