ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF8010STRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF8010STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8010STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8010STRLPBF价格参考。International RectifierIRF8010STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 260W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF8010STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8010STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF8010STRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于功率控制和开关应用。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理 IRF8010STRLPBF常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）等。它能够高效地进行电压转换和电流控制，确保电源系统的稳定性和效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高整体能效。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRF8010STRLPBF可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。它适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）的驱动电路。通过精确的开关控制，它可以实现高效的电机运行，并减少能量损失。 3. 负载开关 该MOSFET可以用作负载开关，控制电路中的负载通断。例如，在电池管理系统中，它可以用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。其快速开关特性和低损耗使其成为理想的选择。 4. 逆变器 在逆变器应用中，IRF8010STRLPBF可以用于将直流电转换为交流电。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备。其高耐压（Vds = 60V）和大电流承载能力（Id = 50A）使其能够在这些高压、大电流的应用中表现出色。 5. 电池充电电路 在电池充电电路中，IRF8010STRLPBF可以用于控制充电电流和电压，确保电池安全充电。它可以通过PWM（脉宽调制）技术调节充电速率，防止过充或过放，延长电池寿命。 6. 消费电子 该MOSFET广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的充电接口、USB端口保护电路等。它的小封装（TO-252(DPAK)）和低热阻特性使其适合紧凑型设计，同时保持良好的散热性能。 总之，IRF8010STRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率控制和开关操作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8010STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8010STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 260 W |
| Pd-功率耗散 | 260 W |
| Qg-GateCharge | 81 nC |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 45A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF8010STRLPBFDKR |
| 功率-最大值 | 260W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8010sl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8010sl.spi |
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