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  • 型号: IRF7907TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF7907TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7907TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7907TRPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF7907TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 9.1A,11A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7907TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7907TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

850 pF, 1790 pF

描述

MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A, 11 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7907TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7907TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.0 W

Pd-功率耗散

2.0 W

Qg-GateCharge

6.7 nC

Qg-栅极电荷

6.7 nC, 14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.1 mOhms, 11.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

上升时间

9.3 ns, 14 ns

下降时间

3.4 ns, 5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.4 毫欧 @ 9.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7907TRPBFCT

典型关闭延迟时间

8 ns, 13 ns

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

19 S, 24 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

9.1 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.1A,11A

配置

Dual

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