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Datasheet下载- 型号： IRF7905PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7905PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7905PBF价格参考。International RectifierIRF7905PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 7.8A，8.9A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7905PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7905PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7905PBF是一款N沟道增强型MOSFET阵列，主要用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计中。其应用场景广泛，涵盖消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子等领域。 1. 消费电子产品 在消费电子产品中，IRF7905PBF常用于电源管理模块。例如，在智能手机和平板电脑中，该器件可以用于电池充电管理电路，实现高效的充电控制和过流保护。此外，它还可以用于音频放大器中的开关电路，以提高音频信号的传输效率，减少功耗。 2. 工业控制系统 在工业控制系统中，IRF7905PBF可用于电机驱动和伺服控制系统。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。同时，其快速开关速度使得它非常适合用于高频PWM（脉宽调制）控制，确保电机运行平稳且响应迅速。 3. 通信设备 在通信设备中，IRF7905PBF可用于电源转换和稳压电路。例如，在基站和路由器中，它可以帮助实现高效的DC-DC转换，确保稳定的电压输出。此外，它还可以用于天线切换电路，提供可靠的射频信号路径选择，保证通信质量。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7905PBF广泛应用于车载电子系统中。例如，在电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中，它可用于电池管理系统（BMS），实现对电池组的充放电控制和保护。此外，它还适用于车身控制模块（BCM），如车窗升降器、座椅调节等，提供稳定可靠的驱动功能。 5. 其他应用 除了上述领域，IRF7905PBF还可用于各种便携式设备、智能家居产品以及医疗设备中，提供高效、可靠的电源管理和信号切换功能。 总之，IRF7905PBF凭借其优异的性能和可靠性，成为众多应用领域的理想选择，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOICMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7905PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7905PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.0 W |
| Pd-功率耗散 | 2.0 W |
| Qg-GateCharge | 4.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.25 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.25 V |
| 上升时间 | 8.3 ns, 9.3 ns |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21.8 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 6.9 ns, 8.1 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 21.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S, 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 7.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A，8.9A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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