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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7901D1TRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FETKY™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 38 毫欧 @ 5A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7901D1PBFDKR |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A |