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Datasheet下载- 型号： IRF7831PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7831PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7831PBF价格参考。International RectifierIRF7831PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7831PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7831PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF7831PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRF7831PBF常用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，提高电源效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，通过高速开关操作实现电压调节和电流控制。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRF7831PBF可以用于驱动小型直流电机或步进电机。它能够承受较高的电流脉冲，并且具备良好的散热性能，确保长时间稳定运行。此外，其快速开关特性有助于实现精确的速度控制和位置控制。 3. 电池管理系统 该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。通过精确控制充电和放电路径，IRF7831PBF能够有效延长电池寿命并提高安全性。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7831PBF可用于车身控制系统、电动助力转向系统（EPS）、空调系统等。其高可靠性和耐高温性能使其能够在严苛的车载环境中稳定工作，满足汽车行业对安全性和耐用性的要求。 5. 消费电子产品 该器件还广泛应用于消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器、LED照明等。其紧凑的封装形式和高效的性能使得它成为便携式设备的理想选择。 6. 工业自动化 在工业自动化设备中，IRF7831PBF可用于伺服驱动器、逆变器、可编程逻辑控制器（PLC）等。它能够提供稳定的电流输出，支持复杂的工业控制任务，并具备良好的抗干扰能力。 总的来说，IRF7831PBF凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，在多个领域中扮演着重要角色，特别是在需要高效功率转换和精确控制的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7831PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7831PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7831.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7831.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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