【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF7831PBF】封装/厂家_IRF7831PBF中文资料_价格

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型号： IRF7831PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7831PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7831PBF价格参考。International RectifierIRF7831PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7831PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7831PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7831PBF是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于多种电力电子应用。

 应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   IRF7831PBF常用于开关电源中的功率级电路，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高电源效率。此外，该器件的快速开关特性使其适合高频开关电源设计，能够有效降低电磁干扰（EMI）。

2. 电机驱动：
   在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动电路中，IRF7831PBF可以用作功率级驱动元件。它能够承受较大的电流波动，并且在高频率下保持良好的开关性能，从而实现高效的电机控制。

3. 电池管理系统（BMS）：
   该MOSFET可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关。它的低导通电阻可以减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命。同时，其快速响应特性有助于在过流或短路情况下迅速切断电流，保护电池和相关电路。

4. LED驱动：
   在大功率LED照明系统中，IRF7831PBF可以用作电流调节元件，确保LED获得稳定的电流供应。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体效率。

5. 逆变器和UPS系统：
   在不间断电源（UPS）和逆变器中，IRF7831PBF可以用作功率输出级的关键元件，负责将直流电转换为交流电。其高耐压和大电流特性使其能够在这些应用场景中稳定工作。

6. 汽车电子：
   在汽车电子领域，IRF7831PBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等设备中。它能够承受汽车环境中严苛的工作条件，如温度变化和电压波动。

总之，IRF7831PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，在各种电力电子设备中发挥着重要作用，特别是在需要高效能和低损耗的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	21 A
Id-连续漏极电流	21 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7831PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7831PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	40 nC
Qg-栅极电荷	40 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	10 ns
下降时间	5.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6240pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.6 毫欧 @ 20A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
典型关闭延迟时间	17 ns
功率-最大值	2.5W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	95
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	21A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7831.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7831.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source