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IRF7821PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7821PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7821PBF价格参考¥3.28-¥3.71。International RectifierIRF7821PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7821PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7821PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7821PBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于高效能的开关应用。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其适用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):IRF7821PBF 适用于各种开关电源设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低 Rds(on) 特性有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 电池管理系统 (BMS):在电池充电和放电过程中,MOSFET 可用于控制电流流动,确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,IRF7821PBF 可以作为功率级元件,实现高效的 PWM(脉宽调制)控制,从而精确调节电机速度和扭矩。 - 步进电机驱动:用于需要高精度定位的步进电机控制系统中,提供稳定的电流输出和快速响应。 3. 消费电子: - 笔记本电脑和移动设备:在这些设备的电源管理和保护电路中,IRF7821PBF 可以用于过流保护、短路保护等,确保设备安全可靠运行。 - 智能家居设备:例如智能插座、智能灯泡等,MOSFET 用于控制电源通断和负载管理。 4. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器 (PLC):在 PLC 的输入输出模块中,MOSFET 用于信号隔离和驱动外部负载,如继电器、指示灯等。 - 变频器 (VFD):用于驱动工业电机的变频器中,IRF7821PBF 可以实现高效的能量转换和精确的速度控制。 5. 汽车电子: - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降、座椅调节等功能的控制电路中,提供可靠的开关功能。 - 电动助力转向系统 (EPS):在 EPS 系统中,MOSFET 用于驱动电机,确保转向系统的灵敏度和响应速度。 总之,IRF7821PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,在广泛的应用领域中发挥着重要作用,特别适合需要高效开关和低损耗的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOICMOSFET 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13.6 A |
Id-连续漏极电流 | 13.6 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7821PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7821PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 9.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 2.7 ns |
下降时间 | 7.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 13A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 9.7 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 12.5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 155 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 9.3 nC |
标准包装 | 95 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 13.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.6A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7821.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | 20 V |