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  • 型号: IRF7821PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7821PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7821PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7821PBF价格参考¥3.28-¥3.71。International RectifierIRF7821PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7821PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7821PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7821PBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于高效能的开关应用。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其适用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:
   - 开关电源 (SMPS):IRF7821PBF 适用于各种开关电源设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低 Rds(on) 特性有助于减少传导损耗,提高转换效率。
   - 电池管理系统 (BMS):在电池充电和放电过程中,MOSFET 可用于控制电流流动,确保电池的安全和稳定运行。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,IRF7821PBF 可以作为功率级元件,实现高效的 PWM(脉宽调制)控制,从而精确调节电机速度和扭矩。
   - 步进电机驱动:用于需要高精度定位的步进电机控制系统中,提供稳定的电流输出和快速响应。

3. 消费电子:
   - 笔记本电脑和移动设备:在这些设备的电源管理和保护电路中,IRF7821PBF 可以用于过流保护、短路保护等,确保设备安全可靠运行。
   - 智能家居设备:例如智能插座、智能灯泡等,MOSFET 用于控制电源通断和负载管理。

4. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):在 PLC 的输入输出模块中,MOSFET 用于信号隔离和驱动外部负载,如继电器、指示灯等。
   - 变频器 (VFD):用于驱动工业电机的变频器中,IRF7821PBF 可以实现高效的能量转换和精确的速度控制。

5. 汽车电子:
   - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降、座椅调节等功能的控制电路中,提供可靠的开关功能。
   - 电动助力转向系统 (EPS):在 EPS 系统中,MOSFET 用于驱动电机,确保转向系统的灵敏度和响应速度。

总之,IRF7821PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,在广泛的应用领域中发挥着重要作用,特别适合需要高效开关和低损耗的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOICMOSFET 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.6 A

Id-连续漏极电流

13.6 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7821PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7821PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

9.3 nC

Qg-栅极电荷

9.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

2.7 ns

下降时间

7.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1010pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.1 毫欧 @ 13A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

9.7 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

12.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 155 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

9.3 nC

标准包装

95

正向跨导-最小值

22 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

13.6 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13.6A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7821.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

20 V

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