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Datasheet下载- 型号： IRF7821GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7821GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7821GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7821GTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7821GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7821GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7821GTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该型号具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。 应用场景： 1. 电源管理： - 开关电源（SMPS）：IRF7821GTRPBF常用于开关电源中的功率转换部分，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 电池管理系统（BMS）：在电池充电和放电过程中，MOSFET用于控制电流流动，确保电池安全和延长使用寿命。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）：MOSFET是BLDC电机驱动电路的核心元件之一，负责控制电机的相位切换，实现高效的电机控制。 - 步进电机驱动：在步进电机控制系统中，MOSFET用于精确控制电流，以实现平稳的运动控制。 3. 汽车电子： - 车载电源系统：在汽车电子中，MOSFET用于稳压器、逆变器等电源管理模块，确保车内电子设备的稳定供电。 - 电动助力转向（EPS）：MOSFET用于EPS系统的电机驱动电路，提供快速响应和高精度的转向控制。 4. 消费电子产品： - 笔记本电脑和智能手机充电器：MOSFET在这些便携式设备的充电器中用于高效的能量转换，减少发热并提高充电速度。 - LED驱动器：在LED照明系统中，MOSFET用于调节电流，确保LED灯的亮度稳定且节能。 5. 工业自动化： - 可编程逻辑控制器（PLC）：MOSFET用于PLC中的输出模块，控制继电器、接触器等外部设备的开关动作。 - 伺服驱动器：在精密运动控制系统中，MOSFET用于高速开关操作，实现对伺服电机的精确控制。 6. 通信设备： - 基站电源：MOSFET在通信基站的电源模块中起到关键作用，确保稳定的电力供应，支持高频信号传输。 总之，IRF7821GTRPBF凭借其优异的电气特性，在多种应用场景中表现出色，特别是在需要高效、可靠和低功耗的电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7821GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7821GTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 9.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 2.7 ns |
| 下降时间 | 7.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7821GTRPBFTR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 155 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.6A （Ta） |
| 配置 | Single |
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