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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807ZTRPBF价格参考。International RectifierIRF7807ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7807ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7807ZTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:IRF7807ZTRPBF 适用于各种电源管理系统,如开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高转换效率,特别适合需要高效能和低功耗的应用。 2. 电机控制:该器件可用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机。由于其快速开关特性和低导通电阻,IRF7807ZTRPBF 可以在电机控制应用中提供高效的电流切换,减少发热,延长设备寿命。 3. 负载开关:在消费电子、工业自动化和通信设备中,IRF7807ZTRPBF 可用作负载开关,实现对不同负载的精确控制。它能够快速响应负载变化,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 保护电路:该 MOSFET 还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测电流并及时切断电路,它可以防止因过载或短路引起的损坏,提升系统的安全性。 5. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器、变频空调和其他变频设备中,IRF7807ZTRPBF 可以作为关键元件,参与高频开关操作,实现电能的高效转换和调节。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、车身控制模块(BCM)和车载充电器等,IRF7807ZTRPBF 也得到了广泛应用。它能够在严苛的工作环境下保持稳定性能,满足汽车行业对可靠性的高要求。 总之,IRF7807ZTRPBF 凭借其出色的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的工作温度范围,成为众多电子设备中不可或缺的重要元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807ZTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7807ZTRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 7.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.8 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7807ZTRPBF |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 18.2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 7.2 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |
闸/源击穿电压 | 20 V |