ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF7807VTRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF7807VTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807VTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807VTRPBF价格参考。International RectifierIRF7807VTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7807VTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807VTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7807VTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 IRF7807VTRPBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为功率开关元件。它能够高效地控制电流的通断,帮助实现高效的电压转换和稳压功能。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以减少功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机,IRF7807VTRPBF可以用作功率级的一部分,负责控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低导通损耗使其非常适合高频驱动应用,能够有效降低发热并提高系统可靠性。 3. 消费电子产品 该MOSFET在消费电子产品中也有广泛应用,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电电路中。它可以用于USB充电接口的保护电路,防止过流、短路等异常情况,确保设备的安全运行。 4. 汽车电子 在汽车电子领域,IRF7807VTRPBF可用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等。它能够承受较高的工作温度和电压波动,适合车载环境下的严苛要求。 5. 工业自动化 在工业自动化控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRF7807VTRPBF可以用作信号隔离和功率放大元件,帮助实现精确的控制和高效的能量传输。 总结 IRF7807VTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用场景,特别是在需要高效功率转换、快速响应和低功耗的场合。无论是消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,这款MOSFET都能提供稳定的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807VTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7807VTRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 9.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7807VPBFTR |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7807v.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7807v.spi |