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  • 型号: IRF7807D2TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF7807D2TRPBF产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.3 A

Id-连续漏极电流

8.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807D2TRPBFFETKY™

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产品型号

IRF7807D2TRPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

10.5 nC

Qg-栅极电荷

10.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

*IRF7807D2TRPBF
IRF7807D2PBFCT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

25 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

8.3 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

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