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IRF7807D2TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807D2TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRF7807D2TRPBF价格参考以及International RectifierIRF7807D2TRPBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRF7807D2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IRF7807D2TRPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807D2TRPBFFETKY™ |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7807D2TRPBF |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 10.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7807D2TRPBF |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 8.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single with Schottky Diode |