【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF7807D1TRPBF】封装/厂家_IRF7807D1TRPBF中文资料_价格

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型号： IRF7807D1TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF7807D1TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807D1TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807D1TRPBF价格参考。International RectifierIRF7807D1TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7807D1TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7807D1TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	8.3 A
Id-连续漏极电流	8.3 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807D1TRPBFFETKY™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7807D1TRPBF
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	10.5 nC
Qg-栅极电荷	10.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 7A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRF7807D1PBFTR IRF7807D1TRPBF-ND IRF7807D1TRPBFTR-ND
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8.3A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single with Schottky Diode