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  • 型号: IRF7805ZPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7805ZPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7805ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7805ZPBF价格参考。International RectifierIRF7805ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7805ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7805ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7805ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是该型号的主要应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:在降压或升压转换器中,IRF7805ZPBF可以作为主开关管,实现高效的电压转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高整体效率。
   - 线性稳压器:用于旁路或负载开关,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,IRF7805ZPBF可以作为逆变器桥臂的一部分,精确控制电机的速度和方向。
   - 步进电机驱动:用于打印机、扫描仪等设备中的步进电机驱动电路,提供稳定的电流和快速响应。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 电池保护电路:在锂电池组中,IRF7805ZPBF可用于过流、过充、过放保护电路,确保电池的安全使用。
   - 充电电路:作为充电路径中的开关,控制充电电流的通断,防止过充和短路。

4. 消费电子设备:
   - 智能手机和平板电脑:用于电源管理和音频放大电路中,提供高效的电源切换和信号放大功能。
   - 笔记本电脑:在电源适配器和内部电源管理模块中,IRF7805ZPBF可以提高能效并延长电池寿命。

5. 工业应用:
   - 工业控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器驱动中,IRF7805ZPBF提供可靠的开关性能。
   - LED照明系统:用于调光和恒流驱动电路,确保LED灯具的亮度一致性和长寿命。

6. 汽车电子:
   - 车载电源系统:在汽车发电机、电池管理系统和辅助电源中,IRF7805ZPBF能够承受严苛的工作环境,提供稳定的电力供应。
   - 车身电子控制单元(ECU):用于车窗升降、座椅调节等控制电路,确保操作的平稳性和安全性。

总之,IRF7805ZPBF凭借其出色的电气特性,如低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,成为多种应用场景中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 18nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7805ZPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7805ZPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

3.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2080pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.8 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

95

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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