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  • 型号: IRF7769L2TR1PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7769L2TR1PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7769L2TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7769L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7769L2TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8。您可以下载IRF7769L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7769L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7769L2TR1PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRF7769L2TR1PBF适用于高效能的开关电源设计,能够快速切换以实现高效的电压转换。
   - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,提供稳定的电流输出和低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。
   - 负载开关:在需要动态控制负载电流的场景中,该MOSFET可以作为高效的开关元件。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适合于低功耗、高效率的小型电机驱动应用,例如家用电器、玩具、便携式设备等。
   - H桥电路:在双极性电机控制中,IRF7769L2TR1PBF可以用作H桥中的开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池组中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或反向电流。
   - 均衡电路:在多节电池串联的系统中,用于电池单元间的能量均衡。

 4. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其较低的栅极电荷和较快的开关速度,该MOSFET可用于高频信号的切换。
   - 音频信号切换:在音频设备中,可用作信号路径的切换开关,确保低失真和低噪声性能。

 5. 消费电子与工业应用
   - LED驱动:在LED照明系统中,用作恒流源的开关元件,调节LED亮度并提高能效。
   - 通信设备:如路由器、交换机等网络设备中的电源模块或信号切换模块。
   - 工业自动化:在传感器接口、执行器控制和其他工业控制系统中,作为高效的开关元件。

 总结
IRF7769L2TR1PBF凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、信号切换以及各种消费电子和工业领域。具体应用场景的选择取决于其电气参数(如耐压、电流承载能力、开关速度等)是否满足实际需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFETMOSFET 100V 124A 3.5mOhm 220nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

124 A

Id-连续漏极电流

124 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7769L2TR1PBFHEXFET®

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产品型号

IRF7769L2TR1PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

200 nC

Qg-栅极电荷

200 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

32 ns

下降时间

41 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11560pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

300nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 毫欧 @ 74A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DIRECTFET L8

其它名称

IRF7769L2TR1PBFCT

功率-最大值

3.3W

功率耗散

125 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

DirectFET™ 等距 L8

封装/箱体

DirectFET-15 L8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

栅极电荷Qg

200 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

410 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

124 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

375A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7769l2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7769l2.spi

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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