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IRF7769L2TR1PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7769L2TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7769L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7769L2TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8。您可以下载IRF7769L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7769L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7769L2TR1PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):IRF7769L2TR1PBF适用于高效能的开关电源设计,能够快速切换以实现高效的电压转换。 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,提供稳定的电流输出和低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。 - 负载开关:在需要动态控制负载电流的场景中,该MOSFET可以作为高效的开关元件。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适合于低功耗、高效率的小型电机驱动应用,例如家用电器、玩具、便携式设备等。 - H桥电路:在双极性电机控制中,IRF7769L2TR1PBF可以用作H桥中的开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池组中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或反向电流。 - 均衡电路:在多节电池串联的系统中,用于电池单元间的能量均衡。 4. 信号切换 - 高速信号切换:由于其较低的栅极电荷和较快的开关速度,该MOSFET可用于高频信号的切换。 - 音频信号切换:在音频设备中,可用作信号路径的切换开关,确保低失真和低噪声性能。 5. 消费电子与工业应用 - LED驱动:在LED照明系统中,用作恒流源的开关元件,调节LED亮度并提高能效。 - 通信设备:如路由器、交换机等网络设备中的电源模块或信号切换模块。 - 工业自动化:在传感器接口、执行器控制和其他工业控制系统中,作为高效的开关元件。 总结 IRF7769L2TR1PBF凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、信号切换以及各种消费电子和工业领域。具体应用场景的选择取决于其电气参数(如耐压、电流承载能力、开关速度等)是否满足实际需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFETMOSFET 100V 124A 3.5mOhm 220nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 124 A |
Id-连续漏极电流 | 124 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7769L2TR1PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7769L2TR1PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 200 nC |
Qg-栅极电荷 | 200 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 32 ns |
下降时间 | 41 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11560pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 74A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
其它名称 | IRF7769L2TR1PBFCT |
功率-最大值 | 3.3W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.8 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
封装/箱体 | DirectFET-15 L8 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
栅极电荷Qg | 200 nC |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 410 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 124 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 375A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7769l2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7769l2.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |