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IRF7759L2TR1PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7759L2TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7759L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7759L2TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 26A(Ta),375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8。您可以下载IRF7759L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7759L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7759L2TR1PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 IRF7759L2TR1PBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断,降低功耗并提高系统的整体效率。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电流应用中减少发热,延长器件寿命。 2. 电机驱动 在电机控制系统中,IRF7759L2TR1PBF可以作为功率级的一部分,用于驱动直流电机或步进电机。它能够快速响应控制信号,实现精确的速度和位置控制。此外,MOSFET的高速开关特性使得它在PWM(脉宽调制)控制中表现出色,适合用于电动工具、家用电器等领域的电机驱动。 3. 电池管理系统 该型号的MOSFET适用于电池保护电路,尤其是在锂电池管理系统中。它可以用于过流保护、短路保护等功能,确保电池在充放电过程中安全可靠。通过精确控制电流路径,MOSFET能够防止电池过充或过放,延长电池使用寿命。 4. 通信设备 在通信设备中,IRF7759L2TR1PBF可用于射频前端模块中的开关应用。它能够快速切换信号路径,支持多频段操作,适用于手机、基站等无线通信设备。此外,MOSFET的低电容特性有助于减少信号干扰,提高通信质量。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,IRF7759L2TR1PBF可用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等设备中。它能够承受较高的工作电压和电流,适应恶劣的工作环境。MOSFET的高可靠性使其成为工业控制系统中的关键组件,确保生产线的稳定运行。 6. 汽车电子 汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明、电动助力转向系统等,IRF7759L2TR1PBF也发挥着重要作用。它能够在高温环境下保持稳定的性能,满足汽车行业的严格要求。 总之,IRF7759L2TR1PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、通信设备、工业自动化以及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFETMOSFET 75V 160A 2.3mOhm 220nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 160 A |
Id-连续漏极电流 | 160 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7759L2TR1PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7759L2TR1PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 200 nC |
Qg-栅极电荷 | 200 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 37 ns |
下降时间 | 33 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12222pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 96A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
其它名称 | IRF7759L2TR1PBFCT |
功率-最大值 | 3.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
封装/箱体 | DirectFET-15 L8 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 74 S |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A (Ta), 375A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7759l2trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7759l2trpbf.spi |
配置 | Single |