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  • 型号: IRF7757TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7757TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7757TRPBF价格参考。International RectifierIRF7757TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7757TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7757TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOPMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.8 A

Id-连续漏极电流

4.8 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7757TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7757TRPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

1.2 W

Pd-功率耗散

1.2 W

Qg-GateCharge

15 nC

Qg-栅极电荷

15 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

9.2 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1340pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 4.8A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

1.2W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.8A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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