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IRF7665S2TR1PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7665S2TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRF7665S2TR1PBF价格参考以及International RectifierIRF7665S2TR1PBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRF7665S2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IRF7665S2TR1PBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SBMOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14.4 A |
Id-连续漏极电流 | 14.4 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7665S2TR1PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7665S2TR1PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 15 W |
Pd-功率耗散 | 15 W |
Qg-GateCharge | 8.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 51 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 51 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 6.4 ns |
下降时间 | 3.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 25µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 515pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 62 毫欧 @ 8.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DIRECTFET SB |
其它名称 | IRF7665S2TR1PBFCT |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DirectFET™ 等距 SB |
封装/箱体 | DirectFET-6 SB |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7665s2trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7665s2trpbf.spi |
配置 | Single |